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H5AN8G8NMFR 发布时间 时间:2025/9/1 12:41:45 查看 阅读:5

H5AN8G8NMFR 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高带宽存储器(HBM,High Bandwidth Memory)系列,主要用于需要高速数据处理的应用领域,如图形处理、人工智能、高性能计算等。这款DRAM芯片采用先进的堆叠式封装技术,提供了极高的带宽和紧凑的封装尺寸。

参数

制造商:SK Hynix
  产品类型:DRAM
  封装类型:3D堆叠封装
  存储容量:8GB
  数据速率:2.4Gbps
  电压:1.8V
  接口类型:HBM2
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装尺寸:根据HBM2标准

特性

H5AN8G8NMFR 具备多项先进的技术特性。首先,它采用了3D堆叠封装技术,将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起,从而显著提高了存储密度和数据传输带宽。这种技术还减少了芯片的物理占用空间,适用于空间受限的高端设备。其次,该芯片支持HBM2接口标准,提供高达2.4Gbps的数据传输速率,满足了对数据吞吐量要求极高的应用场景。
  此外,H5AN8G8NMFR 的功耗相对较低,适合高性能计算设备在保持高效能的同时降低能耗。其工作电压为1.8V,符合当前主流DRAM芯片的低功耗设计趋势。该芯片还具备良好的热稳定性和电气性能,能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定运行,适应各种复杂的工作环境。

应用

H5AN8G8NMFR 主要应用于对数据处理速度和带宽要求极高的高端电子设备。常见应用领域包括高性能图形处理器(GPU)、人工智能加速器(如深度学习训练和推理系统)、网络交换设备、高性能计算(HPC)系统以及高端游戏显卡等。在这些应用中,H5AN8G8NMFR 能够提供快速的数据访问速度和优异的能效表现,帮助系统实现更高效的数据处理能力。

替代型号

H5AN8G8NMF-B214, H5AN8G8NMFR214, H5AN8G8NMFR014

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