时间：2025/9/1 12:41:45
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H5AN8G8NMFR 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）系列，主要用于需要高速数据处理的应用领域，如图形处理、人工智能、高性能计算等。这款DRAM芯片采用先进的堆叠式封装技术，提供了极高的带宽和紧凑的封装尺寸。
制造商：SK Hynix
产品类型：DRAM
封装类型：3D堆叠封装
存储容量：8GB
数据速率：2.4Gbps
电压：1.8V
接口类型：HBM2
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：根据HBM2标准
H5AN8G8NMFR 具备多项先进的技术特性。首先，它采用了3D堆叠封装技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，从而显著提高了存储密度和数据传输带宽。这种技术还减少了芯片的物理占用空间，适用于空间受限的高端设备。其次，该芯片支持HBM2接口标准，提供高达2.4Gbps的数据传输速率，满足了对数据吞吐量要求极高的应用场景。
此外，H5AN8G8NMFR 的功耗相对较低，适合高性能计算设备在保持高效能的同时降低能耗。其工作电压为1.8V，符合当前主流DRAM芯片的低功耗设计趋势。该芯片还具备良好的热稳定性和电气性能，能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定运行，适应各种复杂的工作环境。
H5AN8G8NMFR 主要应用于对数据处理速度和带宽要求极高的高端电子设备。常见应用领域包括高性能图形处理器（GPU）、人工智能加速器（如深度学习训练和推理系统）、网络交换设备、高性能计算（HPC）系统以及高端游戏显卡等。在这些应用中，H5AN8G8NMFR 能够提供快速的数据访问速度和优异的能效表现，帮助系统实现更高效的数据处理能力。
H5AN8G8NMF-B214, H5AN8G8NMFR214, H5AN8G8NMFR014
