时间：2025/9/2 5:15:26
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H5AN8G8NAFR-UHI是一款由SK Hynix生产的高带宽内存（HBM, High Bandwidth Memory）产品，专为高性能计算（HPC）、图形处理、人工智能（AI）和数据中心应用设计。这款内存芯片采用了堆叠式封装技术，通过硅通孔（TSV, Through Silicon Via）实现多个DRAM芯片的垂直互连，从而显著提高带宽并减小体积。H5AN8G8NAFR-UHI具有8GB的存储容量，工作频率高达1.2 Gbps，支持高带宽和低功耗特性，非常适合需要大量数据吞吐能力的应用场景。
容量：8GB
类型：HBM（High Bandwidth Memory）
带宽：1.2 Gbps
封装类型：堆叠式封装
工艺技术：硅通孔（TSV）技术
电压：1.2V
工作温度范围：0°C至+95°C
接口：HBM接口
制造商：SK Hynix
H5AN8G8NAFR-UHI具备多项先进技术，首先是其采用的硅通孔（TSV）技术，使得多个DRAM芯片可以垂直堆叠连接，从而在有限的空间内实现更高的存储密度和带宽。其次是其高带宽特性，达到1.2 Gbps，使得数据传输速度大幅提升，适用于高性能计算和图形处理等需要大量数据吞吐的应用场景。此外，该芯片还具有低功耗设计，符合现代电子设备对能效的要求，有助于降低系统整体功耗。其紧凑的封装形式也使得该芯片在空间受限的系统中更容易集成。最后，H5AN8G8NAFR-UHI具有良好的热管理和稳定性，可在高温环境下稳定运行，适用于工业级和服务器级应用。
H5AN8G8NAFR-UHI广泛应用于高性能计算（HPC）、图形处理器（GPU）、人工智能（AI）加速器、数据中心服务器、高端游戏显卡以及需要高带宽存储的嵌入式系统。其高带宽和低功耗特性使其成为需要快速数据处理和大容量内存支持的系统的理想选择。例如，在AI训练和推理过程中，该内存可以为GPU或专用AI芯片（如TPU）提供快速的数据访问能力，从而提高整体计算效率。
H5AN8G8NAMR-UHI, H5AN8G8NAMR-UHC
