时间：2025/9/2 11:32:03
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H5AN8G6NAFR-UHC是由SK Hynix生产的一种高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其High Bandwidth Memory（HBM）系列。这款芯片专为需要极高内存带宽的应用而设计，例如高性能计算（HPC）、图形处理、AI加速器以及数据中心的加速卡等。H5AN8G6NAFR-UHC采用了先进的堆叠封装技术，允许在有限的PCB空间内实现更高的内存容量和带宽。
类型：DRAM
子类型：HBM2（High Bandwidth Memory Generation 2）
容量：8GB
数据速率：2.4 Gbps
电压：1.3V
封装形式：3D堆叠封装
引脚数量：1024个
带宽：每堆栈高达307GB/s
工作温度：-40°C至+85°C
制造工艺：先进制程工艺
H5AN8G6NAFR-UHC具有多个关键特性，使其在高性能计算和图形应用中表现出色。首先，该芯片采用了HBM2标准，支持更高的带宽和更低的功耗。其3D堆叠封装技术使得在有限的物理空间内可以实现更高的存储密度，减少了PCB的占用面积。此外，该DRAM芯片具有出色的热管理能力，能够在高负载工作环境下保持稳定运行。
该芯片的高带宽特性使得其非常适合用于GPU、AI加速器和网络交换芯片等需要大量数据吞吐的应用。其低电压设计（1.3V）有助于降低功耗，提高能效，满足现代高性能计算设备对能效的要求。
另外，H5AN8G6NAFR-UHC具备出色的可靠性，支持工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），适合在各种严苛环境下运行。
H5AN8G6NAFR-UHC广泛应用于需要高带宽内存的高性能计算系统，包括但不限于：
? 高端GPU（如用于AI训练、深度学习、图形渲染等）
? 数据中心加速器卡
? 网络交换设备
? 高性能FPGA开发板
? 超算系统
? 汽车自动驾驶计算平台
该芯片特别适用于需要大量数据并行处理和高内存带宽的应用场景。
H5AN8G6NDFR-UHC
H5AN8G6NAHR-UHC
