容量：8Gb（Gigabit）
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　封装类型：BGA
　　数据速率：最高可达3200Mbps（兆位每秒）
　　工作电压：1.1V（标准）
　　组织结构：x4、x8、x16
　　温度范围：工业级温度范围（-40°C至+85°C）
　　时钟频率：1600MHz
　　带宽：34.1GB/s（使用x16配置）
　　封装尺寸：根据具体型号不同可能有所变化，常见为9mm x 11mm或类似尺寸。

H5AN8G4NAMR具备多项先进的性能和设计特性，使其适用于现代高性能计算和移动设备应用。首先，该芯片采用了LPDDR4技术，使其在高速运行的同时保持较低的功耗，适用于电池供电设备。其次，其支持高带宽操作，最高可达34.1GB/s，从而显著提升系统性能和数据处理能力。
　　此外，H5AN8G4NAMR支持多种节能模式，包括深度掉电模式和自刷新模式，从而在不使用时有效降低功耗。其还具备先进的错误检测和校正功能，提高数据完整性和可靠性。
　　在物理设计方面，该芯片采用BGA封装，确保良好的电气性能和热稳定性。其支持多Bank操作，提供更高效的数据存取机制，并具备良好的温度适应能力，适用于各种严苛环境。

H5AN8G4NAMR广泛应用于需要高性能内存支持的设备和系统中。例如，它常用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备以及嵌入式计算平台。此外，该芯片也适用于工业控制设备、网络设备、智能电视和汽车电子系统等场景。
　　由于其高带宽和低功耗特性，H5AN8G4NAMR特别适合用于需要实时数据处理的设备，如AI加速器、边缘计算设备和高性能图像处理系统。其稳定性和可靠性也使其成为工业自动化和车载系统中不可或缺的内存解决方案。

H5AN8G4NAMR的替代型号包括H5AN8G4NAMR-JC和H5AN8G4NAMR-AC。此外，根据具体应用需求，也可以考虑其他厂商的LPDDR4芯片，如三星（Samsung）的K4UAY164AB-AC和美光（Micron）的MT53B8G8M32A2B4-046。