时间：2025/9/2 20:44:32
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H5AN4G8NBJR-VKC是一种高密度、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，由SK Hynix（现为Solidigm）制造。该型号属于NAND闪存类别，主要用于固态硬盘（SSD）、存储扩展模块和其他需要高速存储的设备。这款芯片具有4GB的存储容量，采用NAND闪存技术，适用于消费级和工业级电子产品。H5AN4G8NBJR-VKC以其高可靠性、快速读写速度和节能特性在嵌入式系统和便携式设备中广泛应用。
存储容量：4GB
存储类型：NAND闪存
封装类型：BGA
接口类型：ONFI 2.3
工作电压：1.8V / 3.3V
读取速度：最高可达50MB/s
写入速度：最高可达20MB/s
擦除速度：块擦除时间约2ms
工作温度范围：-40°C至85°C
H5AN4G8NBJR-VKC是一款高性能的NAND闪存芯片，具备多种技术优势和应用特性。首先，其4GB的存储容量可以满足多种嵌入式设备和便携式电子产品的需求，例如智能手机、平板电脑、数码相机和智能电视。该芯片采用先进的NAND闪存技术，具有较高的数据存储密度和较长的使用寿命，能够支持频繁的读写操作。
此外，H5AN4G8NBJR-VKC的封装形式为BGA（球栅阵列封装），这种封装方式不仅节省空间，还能提供良好的电气性能和散热能力，适用于紧凑型电子设备的设计。其接口符合ONFI 2.3标准，支持高速数据传输，并具备较强的兼容性，可与其他支持ONFI接口的控制器无缝连接。
该芯片的供电电压支持1.8V和3.3V双电压模式，确保其在不同应用场景下的稳定运行。低电压设计有助于降低功耗，提高能效，特别适用于对功耗敏感的移动设备和便携式产品。同时，H5AN4G8NBJR-VKC的工作温度范围宽广，从-40°C到85°C，能够在极端环境条件下保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
H5AN4G8NBJR-VKC还支持ECC（错误校正码）功能，能够自动检测并纠正数据错误，提高数据存储的可靠性和完整性。此外，该芯片内置坏块管理机制，确保长期使用过程中数据的稳定性，减少数据丢失的风险。
H5AN4G8NBJR-VKC主要应用于需要嵌入式存储解决方案的电子设备，如智能手机、平板电脑、数码相机、MP3播放器、电子书阅读器等消费类电子产品。此外，该芯片也广泛用于工业自动化设备、医疗仪器、车载导航系统、智能监控设备等工业和汽车电子领域。由于其高可靠性和宽温工作范围，H5AN4G8NBJR-VKC还可用于恶劣环境下的嵌入式控制系统和数据存储模块。
H5AN4G8NBIR-VKC, H5AN4G8NBJR-VMC, H5AN4G8NBJ0-VKC
