H5AN4G8NAFR是现代(Hynix)公司生产的一款DRAM芯片型号,具体属于移动DRAM类别,适用于高性能便携设备。这款芯片通常用于智能手机、平板电脑等对内存带宽和功耗有较高要求的设备中。其主要特点包括低功耗运行、高存储密度以及支持高速数据传输。
容量:4GB
类型:LPDDR4 SDRAM
封装类型:BGA
引脚数:134-Pin
工作电压:1.1V(VDD)/1.8V(VDDQ)
频率:最高可达4266Mbps(LPDDR4x)
数据宽度:x16
温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
封装尺寸:10mm x 12mm
H5AN4G8NAFR是一款高性能、低功耗的移动内存芯片,适用于高带宽应用。该芯片采用了LPDDR4标准,具有更高的数据传输速率和更低的功耗,适用于现代便携式电子设备。
这款DRAM芯片支持多种节能模式,包括深度掉电模式和自刷新模式,可以显著降低功耗,从而延长设备电池寿命。此外,它还具备强大的错误检测和纠正功能,确保数据的完整性和稳定性。
在封装方面,H5AN4G8NAFR采用紧凑的BGA封装技术,节省空间的同时提高了热管理和机械稳定性,适合嵌入式设备中高密度布局。其134-Pin引脚设计也便于PCB布线,提高系统集成度。
性能方面,H5AN4G8NAFR最高支持4266Mbps的数据速率,能够满足高端移动设备对内存带宽的需求,适用于多任务处理、图形渲染和视频播放等高性能需求场景。
H5AN4G8NAFR主要应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及需要高性能内存的便携式电子设备。此外,该芯片还可用于工业控制设备、车载娱乐系统和物联网(IoT)设备,提供高效的数据处理能力和稳定的存储性能。
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