容量：4Gb
　　类型：DRAM
　　封装类型：BGA
　　接口：HBM2
　　电压：1.2V
　　工作温度范围：-40°C至85°C

H5AN4G8NAFR-VKC采用了HBM2标准，支持高带宽的数据传输速率，最高可达每秒256GB/s。该芯片通过3D堆叠技术实现更高的存储密度，同时缩短了数据访问延迟，提高了整体性能。其低电压设计（1.2V）有助于降低功耗，适用于对能效要求较高的设备。此外，该芯片具有良好的热管理和信号完整性设计，能够在高温环境下稳定运行。
　　H5AN4G8NAFR-VKC的3D堆叠架构使其在有限的空间内提供更高的内存带宽和容量，这对于GPU和AI加速器等高性能计算设备至关重要。该芯片还支持ECC（Error Correction Code）功能，能够检测并纠正单比特错误，确保数据的完整性和可靠性。其封装尺寸小巧，适合高密度主板布局，同时具备良好的可扩展性，可以与其他HBM2内存芯片并联使用，以满足更高的带宽和容量需求。
　　在信号完整性方面，H5AN4G8NAFR-VKC采用了优化的互连技术和差分信号线路，降低了信号干扰和串扰，提高了系统的稳定性和可靠性。该芯片还支持多种低功耗模式，包括自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），以适应不同的应用场景和功耗要求。

H5AN4G8NAFR-VKC广泛应用于高性能计算（HPC）、图形处理器（GPU）、AI加速器、数据中心服务器、高端网络设备以及嵌入式系统等领域。在GPU和AI加速器中，该芯片可以提供高带宽的数据访问能力，从而提升图形渲染和机器学习任务的处理效率。在数据中心和服务器领域，H5AN4G8NAFR-VKC能够满足大规模并行计算对内存带宽的需求，同时降低整体功耗。此外，该芯片也适用于需要高性能内存的消费电子产品，如高端游戏主机和工作站。

H5AN4G8NDFR-VKC