时间：2025/9/1 15:46:06
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H5AN4G8NAFR-TFCR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储解决方案，广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及嵌入式系统中。其主要特点是高存储容量、低功耗设计以及可靠的性能。
容量：4GB
电压范围：2.3V - 3.6V
接口类型：并行 NAND 接口
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H5AN4G8NAFR-TFCR 是一款4GB容量的NAND闪存芯片，采用先进的工艺制造，提供高效的存储解决方案。其支持并行NAND接口，可以实现快速的数据读写操作，适用于对存储性能有较高要求的应用场景。
该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的电源适应性，适合多种系统设计需求。此外，其TSOP封装形式保证了良好的散热性能和机械稳定性，适用于紧凑型电子设备的设计。
H5AN4G8NAFR-TFCR 的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在恶劣的工业环境中稳定运行，因此广泛应用于工业自动化、嵌入式系统以及车载电子设备等领域。
这款NAND闪存芯片还具备较高的耐用性和数据保持能力，支持多层存储单元（MLC）技术，可以在有限的成本下提供较高的存储密度。
H5AN4G8NAFR-TFCR 主要应用于需要高存储容量和稳定性能的设备中，例如智能手机、平板电脑、嵌入式存储系统、工业计算机、车载导航系统以及其他消费类和工业类电子产品。
H5AN4G8NDFR-TFCR, H5AN4G8NFFR-TFCR
