时间：2025/9/1 16:14:39
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H5AN4G6NMFR-UHC 是一款由SK Hynix（海力士）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片主要用于高容量内存需求的设备中，例如智能手机、平板电脑以及嵌入式系统。H5AN4G6NMFR-UHC 采用先进的制造工艺，具备高密度存储能力和高效的性能表现，是现代电子设备中常用的内存解决方案之一。
容量：4Gb
类型：DRAM
封装：134-ball FBGA
电压：1.7V - 3.3V
频率：166MHz
数据宽度：16位
温度范围：-40°C ~ +85°C
存储器类型：Pseudo Static RAM (PSRAM)
H5AN4G6NMFR-UHC 以其高容量和低功耗设计著称，适用于各种便携式电子设备。该芯片采用先进的134-ball FBGA封装技术，提供较小的封装尺寸和较高的封装密度，从而满足现代电子设备对空间和性能的需求。此外，该芯片的工作电压范围较宽（1.7V - 3.3V），可以在多种电源环境下稳定运行。其支持的温度范围较广（-40°C ~ +85°C），能够在恶劣的环境条件下保持可靠的工作性能。
这款DRAM芯片的频率为166MHz，能够提供较高的数据传输速率，确保设备运行的高效性。其16位的数据宽度设计，进一步提升了数据传输的速度和效率。H5AN4G6NMFR-UHC 还采用了Pseudo Static RAM (PSRAM)技术，使其在不需要外部刷新电路的情况下，能够自动管理数据刷新，从而简化了系统设计并降低了功耗。
该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品以及物联网设备中。由于其高容量和低功耗的特性，非常适合需要长时间运行和高效能处理的应用场景。
H5AN4G6NMFAR-UHC, H5AN4G6NMFX-UHC
