时间：2025/9/1 15:48:41
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H5AN4G6NBJR-VKK 是一款由SK Hynix（海力士）公司制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、高性能存储器类别，通常用于需要高速数据处理和存储的电子设备，如智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他消费类电子产品。H5AN4G6NBJR-VKK 采用先进的制造工艺，具有较低的功耗和较高的数据存取速度，能够满足现代电子设备对内存性能的高要求。
容量：4Gb（512MB）
类型：DRAM
封装类型：BGA
电压：1.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据速率：166MHz
数据宽度：16位
刷新周期：64ms
H5AN4G6NBJR-VKK 具有多个显著的技术特性。首先，它采用先进的CMOS工艺制造，具有较低的功耗，适用于对电池寿命有高要求的便携式设备。其次，该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不丢失数据的情况下降低功耗，延长设备使用时间。此外，H5AN4G6NBJR-VKK 提供了16位的数据宽度，支持高速数据传输，适用于需要大量数据处理的应用场景。其166MHz的数据速率和64ms的刷新周期确保了稳定性和性能的平衡。该芯片还支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，以满足不同应用场景下的能效需求。封装方面，BGA封装技术提高了芯片的稳定性和散热性能，同时减少了信号干扰，提升了整体可靠性。
H5AN4G6NBJR-VKK 通常应用于需要高性能和低功耗的电子设备中。例如，它广泛用于智能手机、平板电脑、数字电视、机顶盒、网络设备、工业控制系统以及嵌入式系统中。在这些设备中，该芯片可作为主内存或缓存，提供快速的数据访问和存储能力。由于其工作温度范围较宽（-40°C至+85°C），因此也适用于一些对环境要求较高的工业和汽车电子应用。此外，该芯片的低功耗特性使其成为物联网（IoT）设备和穿戴式电子产品中的理想选择。
H5AN4G6NBJR-VK0, H5AN4G6NBJR-VKC, H5AN4G6NBJR-VKH
