时间：2025/9/2 1:43:44
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H5AN4G6NBJR-UHI是由SK Hynix生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动LPDDR4 SDRAM系列。该芯片专为低功耗和高性能应用设计，广泛用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及便携式电子产品中。这款DRAM采用BGA（Ball Grid Array）封装技术，具有较高的数据传输速率和能效比，适合需要大量数据处理能力的现代电子设备。
容量：4Gb
类型：LPDDR4 SDRAM
封装类型：BGA
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V
工作温度范围：-40°C至+85°C
位宽：x16
H5AN4G6NBJR-UHI的主要特性包括低功耗设计，适用于移动设备以延长电池寿命；高数据传输速率（最高可达3200Mbps），能够满足高性能计算需求；采用先进的DRAM技术，提高数据处理效率和稳定性；支持多种刷新模式和低功耗模式，以优化不同应用场景下的能耗表现。此外，该芯片具有较高的集成度，可在有限的PCB空间内提供大容量内存支持，适合紧凑型设备的设计需求。H5AN4G6NBJR-UHI还具备良好的热稳定性和抗干扰能力，确保在复杂工作环境下保持稳定运行。
H5AN4G6NBJR-UHI主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式系统以及需要高性能内存的便携式电子产品。该芯片的低功耗特性和高数据传输速率使其成为移动设备中理想的内存解决方案。
H5AN4G6NDJR-UHI, H5AN4G8NBJR-UHI, H5AN8G6NBJR-UHI
