时间：2025/9/2 3:54:34
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H5AN4G6NBJR-TFC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储解决方案，适用于需要大容量存储的应用场景。H5AN4G6NBJR-TFC是一款4GB容量的NAND闪存芯片，采用BGA封装形式，适用于移动设备、嵌入式系统和其他需要非易失性存储的应用。
容量：4GB
封装类型：BGA
接口类型：ONFI 2.3
工作电压：1.8V - 3.3V
数据传输速率：50MB/s
页面大小：2KB
块大小：128KB
擦除时间：2ms
工作温度范围：-40°C至+85°C
H5AN4G6NBJR-TFC NAND闪存芯片具备多种先进的技术特性，确保其在各类应用中的稳定性和可靠性。
首先，该芯片采用了先进的ONFI 2.3接口标准，提供了高达50MB/s的数据传输速率，能够满足高速数据读写的需求。这种接口标准不仅提高了数据传输效率，还增强了与主控芯片的兼容性。
其次，H5AN4G6NBJR-TFC具有2KB的页面大小和128KB的块大小，使得数据存储更加灵活，适合存储大块数据和频繁的擦写操作。同时，芯片内部集成了ECC（错误校正码）功能，能够自动检测和纠正数据错误，从而提高了数据的完整性和可靠性。
此外，该芯片支持低功耗模式，适用于对功耗敏感的移动设备和嵌入式系统。其工作电压范围为1.8V至3.3V，具备良好的电源适应性，可以在不同的系统中灵活使用。
在可靠性方面，H5AN4G6NBJR-TFC的擦除时间为2ms，支持10万次以上的编程/擦除周期，具备较长的使用寿命。同时，其工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在恶劣的环境条件下稳定工作，适合工业级应用。
H5AN4G6NBJR-TFC NAND闪存芯片广泛应用于各种嵌入式系统和移动设备中。它常用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载导航系统、工业控制设备以及物联网（IoT）设备等场景。
在移动设备中，该芯片用于存储操作系统、应用程序和用户数据，提供快速的数据访问和稳定的存储性能。在工业控制领域，H5AN4G6NBJR-TFC可用于存储关键的系统固件和运行日志，确保设备在断电或重启时数据不丢失。
此外，该芯片也适用于需要高可靠性和低功耗的物联网设备，如智能电表、安防监控设备、远程终端单元（RTU）等。其宽温工作范围和耐用性使其在工业环境中表现出色。
H5AN4G6NBJR-TFC的替代型号包括H5AN4G6NBJR-TF0C、H5AN4G6NBJR-TFC0和H5AN4G6NBJR-TFD等。这些型号在性能和封装上具有相似特性，可根据具体需求进行选择。
