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H57V2562GFR-75L 发布时间 时间:2025/9/2 6:15:41 查看 阅读:10

H57V2562GFR-75L 是一款由SK Hynix(现代半导体)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛用于需要大容量内存和高性能计算的设备中。该芯片属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别,具有高速数据传输能力,适用于个人计算机、服务器、工业控制系统以及嵌入式设备等应用场景。

参数

容量:256MB
  组织结构:2Gbit,x16位架构
  工作电压:2.3V - 3.6V(通常为2.5V)
  时钟频率:166MHz(对应7.5ns时序)
  访问时间:7.5ns
  封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数量:54pin
  工作温度范围:工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)
  数据传输速率:166MHz时为166MHz DDR(Double Data Rate)
  接口类型:Synchronous(同步接口)

特性

H57V2562GFR-75L是一款高性能的同步动态随机存储器芯片,其主要特性包括高速访问能力和低功耗设计。该芯片采用同步接口技术,使得数据的读写操作能够与系统时钟保持同步,从而提高整体系统的运行效率。此外,该DRAM芯片支持自动刷新和自刷新模式,这在保证数据完整性的同时降低了系统功耗,非常适合需要长时间运行的应用场景。
  这款芯片的256MB容量在当时属于中等偏上的水平,适用于需要较大内存缓存的应用,如图形处理、网络设备以及嵌入式系统。其TSOP封装形式不仅节省空间,还具备良好的散热性能,适用于高密度电路设计。此外,该芯片的工作温度范围覆盖工业级标准,确保在各种恶劣环境下仍能稳定工作。
  从电气特性来看,H57V2562GFR-75L的工作电压为2.3V至3.6V,典型值为2.5V,这种宽电压范围设计使得芯片能够适应不同的电源管理系统,提升了设计的灵活性。其166MHz的时钟频率和7.5ns的访问时间,确保了高速数据存取能力,适用于对性能要求较高的系统。

应用

H57V2562GFR-75L广泛应用于多个领域,包括个人计算机中的内存模块、工业控制系统中的缓存存储、嵌入式系统的主存配置、通信设备的数据缓冲、图形加速卡的显存扩展等。由于其具备高速访问能力和工业级温度适应性,因此也常用于自动化控制设备、测试测量仪器、网络路由器和交换机等对稳定性要求较高的场合。此外,在一些老旧的消费类电子产品中,该芯片也曾被用于提升设备的内存性能。

替代型号

H57V2562GTR-75C,H57V5122GTR-75C,HY57V2562GTR-75C

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