H57V2562GFR-60I 时间：2025/9/1 20:59:41 阅读：16

H57V2562GFR-60I 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于高性能计算设备、图形处理器、服务器和工作站等场景。这款DRAM芯片采用的是DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）技术，提供高速数据存取能力。H57V2562GFR-60I 的具体规格表明它是一款容量为256MB，组织结构为x16的数据总线宽度的内存芯片。

参数

名称：H57V2562GFR-60I
　　制造商：Hynix（SK hynix）
　　存储类型：DRAM
　　存储容量：256MB
　　数据总线宽度：x16
　　内存类型：DDR SDRAM
　　工作电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　时钟频率：166MHz（等效数据速率333MHz）
　　访问时间：60ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　引脚数：54

特性

H57V2562GFR-60I 是一款性能稳定的DDR SDRAM芯片，适用于需要高速内存访问的应用环境。其主要特性包括高速数据传输能力、低功耗设计以及工业级工作温度范围，使其能够在各种严苛环境下可靠运行。
　　首先，该芯片采用DDR SDRAM技术，支持在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据，从而实现双倍于传统SDRAM的数据传输速率。其时钟频率为166MHz，等效数据速率为333MHz，能够满足高性能系统对内存带宽的需求。此外，60ns的访问时间确保了快速的数据响应能力，适用于需要实时处理的应用场景。
　　其次，H57V2562GFR-60I 工作电压为3.3V，相较于更高电压的存储器，具有更低的功耗和更小的热量产生，有利于提升系统的能效和稳定性。其TSOP封装形式不仅便于安装，还具有良好的电气性能和散热能力，适合高密度内存设计。
　　另外，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于工业控制、嵌入式系统、通信设备等对温度适应性要求较高的应用场景。256MB的存储容量和x16的数据总线宽度使其在数据吞吐量与成本之间取得良好平衡，适用于多种中高端电子设备。
　　总体而言，H57V2562GFR-60I 是一款高性能、高可靠性的DRAM存储器芯片，广泛用于需要高速内存访问的电子系统。