H57V2562GFR-60I 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于高性能计算设备、图形处理器、服务器和工作站等场景。这款DRAM芯片采用的是DDR SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)技术,提供高速数据存取能力。H57V2562GFR-60I 的具体规格表明它是一款容量为256MB,组织结构为x16的数据总线宽度的内存芯片。
名称:H57V2562GFR-60I
制造商:Hynix(SK hynix)
存储类型:DRAM
存储容量:256MB
数据总线宽度:x16
内存类型:DDR SDRAM
工作电压:3.3V
封装类型:TSOP
时钟频率:166MHz(等效数据速率333MHz)
访问时间:60ns
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
引脚数:54
H57V2562GFR-60I 是一款性能稳定的DDR SDRAM芯片,适用于需要高速内存访问的应用环境。其主要特性包括高速数据传输能力、低功耗设计以及工业级工作温度范围,使其能够在各种严苛环境下可靠运行。
首先,该芯片采用DDR SDRAM技术,支持在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据,从而实现双倍于传统SDRAM的数据传输速率。其时钟频率为166MHz,等效数据速率为333MHz,能够满足高性能系统对内存带宽的需求。此外,60ns的访问时间确保了快速的数据响应能力,适用于需要实时处理的应用场景。
其次,H57V2562GFR-60I 工作电压为3.3V,相较于更高电压的存储器,具有更低的功耗和更小的热量产生,有利于提升系统的能效和稳定性。其TSOP封装形式不仅便于安装,还具有良好的电气性能和散热能力,适合高密度内存设计。
另外,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,适用于工业控制、嵌入式系统、通信设备等对温度适应性要求较高的应用场景。256MB的存储容量和x16的数据总线宽度使其在数据吞吐量与成本之间取得良好平衡,适用于多种中高端电子设备。
总体而言,H57V2562GFR-60I 是一款高性能、高可靠性的DRAM存储器芯片,广泛用于需要高速内存访问的电子系统。
H57V2562GFR-60I 主要应用于需要高速内存支持的电子设备和系统,包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、图形处理器、服务器和高性能计算设备。该芯片的高速数据传输能力和宽温度工作范围,使其在复杂和高性能要求的环境中表现出色。
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