时间：2025/9/1 12:58:00
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H57V2562GFR-50是一种由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛用于需要高性能存储器的电子设备中。这款芯片通常被设计用于图形处理、嵌入式系统以及计算机主板等应用场景。H57V2562GFR-50具有高速访问能力，能够满足对数据吞吐量有较高要求的应用需求。
容量：256MB
组织结构：2G x 16 bit
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数：54-pin
时钟频率：166MHz
H57V2562GFR-50具备多项高性能特性，包括高速数据访问、低功耗设计和稳定的可靠性。其5.4ns的访问时间确保了快速的数据读写能力，适合需要快速响应的应用场景。
该芯片支持166MHz的时钟频率，能够在高频环境下稳定工作，提供高效的数据传输速率。
采用TSOP封装技术，H57V2562GFR-50在体积上更加紧凑，适合嵌入式设备和空间受限的设计。
此外，其宽电压范围（2.3V至3.6V）使其在不同电源环境下均能稳定运行，提升了设计的灵活性。
该芯片的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），适用于严苛环境下的设备应用。
H57V2562GFR-50广泛应用于需要高性能存储器的设备，如嵌入式系统、工业控制设备、图形处理单元（GPU）、网络设备、视频监控系统以及消费类电子产品（如高端游戏机和多媒体设备）。其高速访问能力和宽工作温度范围使其成为工业和消费类电子产品的理想选择。
H57V2562GFR-50的替代型号包括H57V2562GTR-50C和H57V5122GTR-60C等。这些型号在容量、速度和封装上与H57V2562GFR-50相似，可以作为备选方案用于不同的设计需求。
