时间：2025/9/2 6:34:43
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H57V1262GTR 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片广泛应用于计算机系统、服务器、嵌入式设备以及需要大容量内存支持的电子设备中。作为一款标准的DRAM组件，H57V1262GTR 提供了可靠的性能表现和稳定的存储能力，适合对内存容量和速度有较高要求的场景。
型号: H57V1262GTR
制造商: SK hynix
内存类型: DRAM
容量: 256MB
数据宽度: 16位
封装类型: TSOP
电压: 2.3V - 3.6V
工作温度范围: 工业级 (-40°C 至 +85°C)
接口类型: 异步
时钟频率: 最大访问时间5.4ns
封装引脚数: 54pin
H57V1262GTR 是一款异步DRAM芯片，具备较高的存储密度和灵活性，适合各种嵌入式系统的内存扩展需求。其主要特性包括低功耗设计、宽电压范围支持以及工业级温度适应能力，确保在各种复杂环境下稳定运行。该芯片采用TSOP封装，具有良好的散热性能和较小的PCB占用空间，适用于紧凑型设备设计。此外，H57V1262GTR 支持异步操作模式，无需依赖系统时钟，因此在与不同速度的控制器连接时具有更高的兼容性和灵活性。其5.4ns的访问时间保证了快速的数据读写能力，有助于提升系统的整体响应速度。在电源管理方面，该芯片支持多种低功耗模式，如待机模式和深度掉电模式，从而有效延长电池供电设备的续航时间。由于其可靠性和广泛的适用性，H57V1262GTR 被广泛应用于工业控制、通信设备、消费类电子产品等领域。
H57V1262GTR 通常用于需要高性能存储解决方案的电子设备中。例如，在嵌入式系统中，它可用于扩展主控芯片的内存容量，以支持更复杂的应用程序运行；在工业控制设备中，它可以作为高速缓存或临时数据存储单元，提高系统处理效率；在通信设备中，如路由器和交换机，该芯片可以提供快速的数据缓冲能力，保障网络传输的稳定性。此外，H57V1262GTR 还可用于消费类电子产品，如数码相机、便携式游戏机和多媒体播放器，以提升设备的运行流畅性和用户体验。
IS61LV25616-10B4BLI, CY7C1041CV33-10ZSXI, A2V1026D10PI
