容量：64Mbit
　　组织结构：16M x 4 x 4 Banks
　　电压：2.3V - 3.6V
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz（双倍数据速率）
　　封装类型：TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：DDR SDRAM

H57V1262GTR-50I 是一款专为高性能应用设计的DDR SDRAM芯片，其主要特性包括低功耗设计、高速数据传输能力以及广泛的工作温度范围，适合工业和通信领域的严苛环境。
　　首先，该芯片支持双倍数据速率（DDR）技术，使得在相同的时钟频率下，数据传输速率比传统SDRAM提高了一倍，从而显著提升了系统性能。其最大数据速率为166MHz，适用于需要快速数据存取的系统。
　　其次，H57V1262GTR-50I 的工作电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的电源兼容性。这种宽电压设计使其能够适应多种电源供应方案，适用于不同应用场景中的系统设计。同时，该芯片的低功耗特性也使其非常适合用于便携式设备或对功耗敏感的应用。
　　此外，该芯片采用TSOP封装技术，不仅体积小巧，还具有良好的电气性能和散热能力，适合高密度PCB布局。工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）确保了其在极端环境下的稳定运行，适用于工业自动化、网络设备、安防监控系统等对可靠性和稳定性要求较高的应用场合。
　　最后，H57V1262GTR-50I 还支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，能够在不使用时降低功耗并保持数据完整，进一步提升了系统的能效表现。

H57V1262GTR-50I 主要应用于需要高速数据缓存和临时存储的电子系统中，例如工业控制设备、通信基础设施（如路由器和交换机）、视频监控系统、嵌入式处理器平台以及各种便携式电子产品。由于其具备工业级温度范围和低功耗特性，该芯片也常被用于户外设备和远程监测系统中，以确保在恶劣环境下的稳定运行。

H57V2562GTR-50C, H57V641620CTR-50C, HY57V281620HCT-50C