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H55S5162EFR-75M 发布时间 时间:2025/9/2 7:22:17 查看 阅读:9

H55S5162EFR-75M 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高速DRAM系列,广泛用于需要高性能和低延迟的存储应用。这款DRAM芯片采用的是常见的TSOP(薄型小外形封装)封装形式,适用于嵌入式系统、工业控制设备以及消费类电子产品。该型号的存储容量为256MB,工作频率为166MHz(对应-75M后缀,存取时间为7.5ns),支持3.3V电源供电,并具有快速的读写性能。

参数

容量:256MB
  组织方式:16M x16
  工作频率:166MHz
  存取时间:7.5ns
  电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  工作温度:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:异步
  刷新周期:64ms
  数据宽度:16位

特性

H55S5162EFR-75M 是一款高速异步DRAM芯片,其核心特性包括低功耗设计、高性能数据存取以及适用于工业环境的宽温范围操作。该芯片支持标准的异步控制信号,便于与各种主控器或微处理器进行连接。其TSOP封装形式有助于降低封装高度,适合空间受限的应用场景。此外,该芯片具备自动刷新和自刷新功能,在保持数据完整性的同时降低了系统功耗。由于其稳定的性能和广泛的兼容性,该芯片被广泛应用于网络设备、工控设备、通信模块以及多媒体设备等领域。
  该芯片还支持多种操作模式,包括快速页面模式(Fast Page Mode),以提高连续访问效率。其异步接口允许灵活的时序控制,适应不同的系统需求。此外,该芯片在设计上注重EMI(电磁干扰)控制,有助于提升系统的整体稳定性。由于其成熟的制造工艺和经过验证的可靠性,H55S5162EFR-75M 在工业和消费类市场中都有较长的应用历史。

应用

H55S5162EFR-75M 适用于需要中等容量高速存储的各种电子设备。常见的应用包括嵌入式系统(如工业计算机、控制面板和测量仪器)、网络设备(如路由器和交换机)、视频处理模块、打印机和扫描仪等办公自动化设备,以及老一代的消费电子产品(如游戏机、数字电视和机顶盒)。由于其具备宽温工作范围和良好的稳定性,该芯片也常用于工业现场设备和自动化控制系统中。

替代型号

H57V51628FTR-75C
  IS61LV25616ALB-7T

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