H55S5162EFR-75M 时间：2025/9/2 7:22:17 阅读：25

H55S5162EFR-75M 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高速DRAM系列，广泛用于需要高性能和低延迟的存储应用。这款DRAM芯片采用的是常见的TSOP（薄型小外形封装）封装形式，适用于嵌入式系统、工业控制设备以及消费类电子产品。该型号的存储容量为256MB，工作频率为166MHz（对应-75M后缀，存取时间为7.5ns），支持3.3V电源供电，并具有快速的读写性能。

参数

容量：256MB
　　组织方式：16M x16
　　工作频率：166MHz
　　存取时间：7.5ns
　　电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　工作温度：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：异步
　　刷新周期：64ms
　　数据宽度：16位

特性

H55S5162EFR-75M 是一款高速异步DRAM芯片，其核心特性包括低功耗设计、高性能数据存取以及适用于工业环境的宽温范围操作。该芯片支持标准的异步控制信号，便于与各种主控器或微处理器进行连接。其TSOP封装形式有助于降低封装高度，适合空间受限的应用场景。此外，该芯片具备自动刷新和自刷新功能，在保持数据完整性的同时降低了系统功耗。由于其稳定的性能和广泛的兼容性，该芯片被广泛应用于网络设备、工控设备、通信模块以及多媒体设备等领域。
　　该芯片还支持多种操作模式，包括快速页面模式（Fast Page Mode），以提高连续访问效率。其异步接口允许灵活的时序控制，适应不同的系统需求。此外，该芯片在设计上注重EMI（电磁干扰）控制，有助于提升系统的整体稳定性。由于其成熟的制造工艺和经过验证的可靠性，H55S5162EFR-75M 在工业和消费类市场中都有较长的应用历史。

应用

H55S5162EFR-75M 适用于需要中等容量高速存储的各种电子设备。常见的应用包括嵌入式系统（如工业计算机、控制面板和测量仪器）、网络设备（如路由器和交换机）、视频处理模块、打印机和扫描仪等办公自动化设备，以及老一代的消费电子产品（如游戏机、数字电视和机顶盒）。由于其具备宽温工作范围和良好的稳定性，该芯片也常用于工业现场设备和自动化控制系统中。