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H55S2G32MFR-60M 发布时间 时间:2025/9/2 0:36:44 查看 阅读:4

H55S2G32MFR-60M 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高性能、高密度存储器,适用于需要大量数据存储和快速访问的应用场景。H55S2G32MFR-60M的容量为256MB,采用x32位的总线宽度,适用于需要高速数据处理的系统。该芯片通常用于计算机、服务器、嵌入式系统以及网络设备等。

参数

容量:256MB
  总线宽度:x32位
  速度等级:-60M(表示访问时间60MHz)
  封装类型:FBGA
  工作温度:工业级温度范围(通常为-40°C至+85°C)
  电压供应:通常为2.3V至3.6V

特性

H55S2G32MFR-60M是一款高性能的DRAM芯片,具有较大的存储容量和较快的访问速度,适用于需要大量数据存储和快速读取的应用场景。其x32位总线宽度允许同时传输大量数据,提高了数据吞吐量。该芯片采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,具有较小的体积和良好的散热性能,适合高密度电路板设计。此外,H55S2G32MFR-60M具有宽温度范围和稳定的电压供应范围,能够在各种工业环境中可靠运行。它的设计考虑了低功耗和高可靠性,适用于长时间运行的系统。

应用

H55S2G32MFR-60M广泛应用于计算机内存模块、服务器、嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及消费类电子产品中。由于其高容量和高速特性,它特别适合用于需要大量数据缓存和快速访问的系统,例如图像处理设备、通信设备和数据存储系统。

替代型号

H57V2562GTR-60C, H57V5122GTR-60C

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