时间：2025/9/2 0:36:44
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H55S2G32MFR-60M 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高性能、高密度存储器，适用于需要大量数据存储和快速访问的应用场景。H55S2G32MFR-60M的容量为256MB，采用x32位的总线宽度，适用于需要高速数据处理的系统。该芯片通常用于计算机、服务器、嵌入式系统以及网络设备等。
容量：256MB
总线宽度：x32位
速度等级：-60M（表示访问时间60MHz）
封装类型：FBGA
工作温度：工业级温度范围（通常为-40°C至+85°C）
电压供应：通常为2.3V至3.6V
H55S2G32MFR-60M是一款高性能的DRAM芯片，具有较大的存储容量和较快的访问速度，适用于需要大量数据存储和快速读取的应用场景。其x32位总线宽度允许同时传输大量数据，提高了数据吞吐量。该芯片采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，具有较小的体积和良好的散热性能，适合高密度电路板设计。此外，H55S2G32MFR-60M具有宽温度范围和稳定的电压供应范围，能够在各种工业环境中可靠运行。它的设计考虑了低功耗和高可靠性，适用于长时间运行的系统。
H55S2G32MFR-60M广泛应用于计算机内存模块、服务器、嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及消费类电子产品中。由于其高容量和高速特性，它特别适合用于需要大量数据缓存和快速访问的系统，例如图像处理设备、通信设备和数据存储系统。
H57V2562GTR-60C, H57V5122GTR-60C
