类型：GDDR5 SDRAM
　　容量：2 Gb（256 MB）
　　数据速率：6.0 Gbps
　　电压：1.5V（VDD）/ 1.5V（VDDQ）
　　封装：170-ball FBGA
　　组织结构：x32
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　接口：GDDR5
　　时钟频率：1500 MHz
　　预取架构：8n
　　刷新功能：自动刷新、自刷新
　　封装尺寸：8 mm x 13 mm

H55S2G22MFR-60 作为一款高性能的GDDR5内存芯片，具有多个显著的特性。首先，其高达6.0 Gbps的数据速率能够满足现代图形处理单元（GPU）对于内存带宽的严苛需求，提供流畅的图形渲染性能。该芯片采用8n预取架构，通过内部并行操作提升数据吞吐效率。
　　其次，H55S2G22MFR-60 支持自动刷新和自刷新功能，能够在不丢失数据的前提下降低功耗，适用于对能效要求较高的设备。其工作电压为1.5V，与前代GDDR3/GDDR4相比，功耗更低，同时保持了更高的带宽效率。
　　此外，该芯片采用170-ball FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，具有较小的封装尺寸（8 mm x 13 mm），适合高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应工业级和消费级应用环境。
　　在信号完整性方面，H55S2G22MFR-60 采用差分时钟信号（CK_t/CK_c）和数据选通（DQS_t/DQS_c）设计，以减少信号干扰，提高数据传输稳定性。该芯片还支持ZQ校准功能，可动态调整输出驱动强度，确保信号质量。
　　最后，该内存芯片通过优化的内部电路设计，实现了较低的访问延迟（CL值通常为8~14周期），同时支持突发长度（BL）可编程设置，增强了其在不同应用场景下的灵活性。

H55S2G22MFR-60 主要用于需要高性能图形处理和大内存带宽的应用场景。典型应用包括独立显卡（GPU显存）、游戏主机（如PlayStation、Xbox）、高端嵌入式图形系统、工业控制设备、AI加速卡以及高性能计算（HPC）模块。此外，它也可用于需要高速缓存的网络设备、视频处理系统以及数字标牌等多媒体应用。其低功耗和高稳定性特性也使其适用于便携式图形设备和车载娱乐系统。

H55S2G22MFR-6A, H55S2G22AFR-60, H55S2G22BFR-60, H55S2G22CFR-60, H55S2G22DFR-60