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H55S2G22MFP-60M-C 发布时间 时间:2025/9/1 14:43:52 查看 阅读:7

H55S2G22MFP-60M-C 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于高性能、低功耗的DRAM模块,适用于需要高速数据处理的电子设备,如计算机主板、服务器、网络设备和嵌入式系统。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺,确保了在高频运行时的稳定性,并具备良好的散热性能。

参数

类型:DRAM
  容量:256MB
  数据宽度:16位
  速度:-60M(对应时钟频率为166MHz,访问时间6.0ns)
  电压:3.3V
  封装形式:TSOP(薄型小外形封装)
  工作温度:工业级(-40°C至+85°C)
  制造厂商:Hynix(现为SK hynix)

特性

H55S2G22MFP-60M-C 是一款具有高性能和稳定性的DRAM芯片,其主要特性包括高速存取、低功耗设计和宽温工作范围。该芯片的存取时间为6.0ns,能够在166MHz的频率下稳定运行,适用于对数据处理速度有较高要求的系统。此外,其3.3V的工作电压设计有助于降低整体功耗,提高能效。
  该芯片采用了TSOP封装技术,不仅提高了封装密度,还减少了封装厚度,适用于空间受限的应用场景。同时,TSOP封装也有助于提高信号完整性和热稳定性,延长芯片的使用寿命。
  H55S2G22MFP-60M-C 还具备工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),能够在极端环境条件下保持稳定运行,适用于工业控制、通信设备、车载电子等对可靠性要求较高的应用场景。

应用

H55S2G22MFP-60M-C 主要应用于需要高性能、低功耗和宽温范围存储解决方案的电子设备中。常见应用包括工业控制计算机、网络路由器和交换机、嵌入式系统、视频监控设备、车载电子系统以及通信基站等。由于其高可靠性和稳定性,该芯片也常被用于自动化设备和智能家电中,以支持高速数据缓存和临时存储功能。

替代型号

H57V2262GTR-60C, HY57V226220BTR-6B

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