容量：256Mbit
　　组织结构：2M x 16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP-II
　　引脚数：54
　　时钟频率：166MHz

H55S2562JFR-75 是一款高速异步DRAM芯片，适用于多种嵌入式和工业应用。该芯片支持异步操作，这意味着它可以在没有固定时钟信号的情况下运行，提供更高的灵活性。其256Mbit的存储容量和16位数据宽度使其适合需要较高带宽的数据处理任务。
　　这款DRAM芯片采用低功耗设计，能够在保持高性能的同时降低功耗，适用于对能耗敏感的应用场景。其宽电压范围（2.3V至3.6V）使其可以在不同的电源条件下稳定工作，增强了兼容性。
　　此外，H55S2562JFR-75 的TSOP封装形式提供了良好的散热性能和较小的封装尺寸，适合空间受限的设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，能够适应恶劣的工业环境，保证设备在各种条件下都能可靠运行。
　　在电气特性方面，H55S2562JFR-75 具有较高的抗干扰能力和稳定性，能够在高频环境下保持数据的完整性。其5.4ns的访问时间确保了快速的数据读写能力，满足了对响应速度有较高要求的应用场景。

H55S2562JFR-75 主要应用于需要高速存储和低功耗设计的设备，例如工业控制系统、嵌入式系统、通信设备、医疗设备、消费电子产品以及自动化设备等。由于其异步操作特性和宽温度范围，它特别适合用于对环境适应性和可靠性有较高要求的工业现场。

H55S2562GFR-70, H55S2562JFR-80, H55S2562JFR-60