容量：4Gb
　　组织结构：x16位
　　工作电压：1.8V
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　工作温度范围：0°C至85°C
　　接口类型：CMOS
　　时钟频率：最大支持200MHz
　　数据速率：400Mbps
　　刷新周期：64ms
　　自动刷新功能：支持

H54G66CYRBX275 芯片具有多项先进的技术特性，以确保高性能和可靠性。首先，它采用先进的DRAM技术，提供高达4Gb的存储容量，并支持x16位的数据宽度，从而提升数据吞吐能力。
　　其次，该芯片工作电压为1.8V，具有低功耗设计，适用于对能耗敏感的应用场景。其封装形式为54-ball FBGA，这种小型化封装不仅节省空间，还能提供良好的电气性能和热稳定性。
　　此外，H54G66CYRBX275 支持高速数据传输，最大时钟频率可达200MHz，数据速率高达400Mbps，适合用于需要快速响应和高带宽的应用。其64ms的刷新周期和自动刷新功能确保了数据在长时间运行中的稳定性。
　　该芯片还具备宽工作温度范围（0°C至85°C），适合在多种环境条件下使用，包括工业级和消费级设备。整体而言，H54G66CYRBX275 是一款高性能、低功耗且可靠性强的DRAM芯片，适用于各种高性能存储需求。

H54G66CYRBX275 主要应用于需要高性能存储解决方案的领域，包括但不限于个人计算机、服务器、网络设备、工业控制系统、消费电子产品（如智能电视、游戏机）以及嵌入式系统等。其高速数据传输能力和低功耗特性使其成为高端电子设备中理想的存储选择。

H54G66C2BFR-X27C, H54G66C2BRBX27C