时间：2025/5/22 23:18:35
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H5007NLT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于开关电源、电机驱动、逆变器和 DC-DC 转换器等应用。其卓越的导通电阻特性与快速开关性能，使得 H5007NLT 在功率管理领域具有广泛的适用性。
该型号采用了先进的制造工艺，确保在高效率运行的同时保持较低的功耗和较高的热稳定性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：32A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：55nC
输入电容：1680pF
最大工作结温：175℃
封装形式：TO-247
H5007NLT 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功率损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高额定电流，支持大功率设备运行。
4. 优异的热稳定性和可靠性，适用于恶劣的工作条件。
5. 小巧的封装设计，便于集成到各种电路板中。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料制造。
H5007NLT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. 电机驱动器中的功率控制。
3. 太阳能逆变器及 UPS 系统。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 各类高效 DC-DC 转换器。
6. 汽车电子系统中的负载切换功能。
H5008NLT, IRFZ44N, FDP5570N
