时间：2025/9/3 22:27:11
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H4CMC8UMT是一款由SK Hynix（海力士）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、低功耗存储器产品线。该型号通常用于需要高速数据访问和较大存储容量的应用场景，例如计算机主板、服务器内存模块以及嵌入式系统等。H4CMC8UMT采用先进的DRAM技术，具备高可靠性和稳定性，能够满足现代电子设备对内存性能的严苛要求。
容量：8GB
类型：DRAM
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
数据速率：1600MHz
工作电压：1.5V
数据宽度：x8
刷新周期：64ms
工作温度范围：0°C至85°C
H4CMC8UMT具备多项先进的技术特性，确保其在各种应用环境中的稳定性和高性能。首先，该芯片采用低电压设计（1.5V），有效降低功耗并减少热量产生，适用于对能效要求较高的系统。其次，H4CMC8UMT支持1600MHz的数据传输速率，确保高速数据存取，提高整体系统性能。此外，该芯片支持x8数据宽度模式，适用于高密度内存模块设计，提供更灵活的系统集成方案。
该型号还具备较长的刷新周期（64ms），能够在保持数据完整性的同时减少刷新操作频率，从而降低系统负担。H4CMC8UMT采用TSOP封装技术，提供良好的电气性能和机械稳定性，适用于多种工业级和消费级应用场景。其宽广的工作温度范围（0°C至85°C）使其能够在严苛的环境条件下稳定运行，确保设备的可靠性。
H4CMC8UMT广泛应用于计算机系统、服务器、嵌入式设备以及工业控制设备中。在个人计算机和服务器领域，该芯片可用于构建高性能内存模块，提升系统的数据处理能力。在嵌入式系统中，H4CMC8UMT适用于需要大容量内存支持的智能设备、网络设备以及存储设备。此外，该芯片还可用于工业自动化设备、医疗设备和通信基础设施，确保设备在高负载和长时间运行条件下的稳定表现。
H4CMC8UMB H4CMC8UMS
