类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　连续漏极电流（Id）：300mA
　　脉冲漏极电流（Idm）：1.2A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　功率耗散（Pd）：350mW
　　导通电阻（Rds(on)）：5Ω（最大值，Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V～2.5V
　　输入电容（Ciss）：25pF（典型值，Vds=10V）
　　输出电容（Coss）：10pF（典型值）
　　反向传输电容（Crss）：4pF（典型值）
　　开启时间（Ton）：约10ns
　　关断时间（Toff）：约20ns
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：SOT-23

H2N7002 N沟道MOSFET在设计上充分考虑了低功耗与高效开关的需求，其核心特性之一是具备较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V条件下最大为5Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。该特性特别适用于电池供电设备或对热管理要求较高的应用中，能够有效降低温升并延长系统运行时间。
　　其次，H2N7002的栅极阈值电压范围为1V至2.5V，意味着它可以在较低的控制电压下实现完全导通，因此非常适合与现代微控制器、FPGA或其他低电压逻辑电路直接接口，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。这一特性也增强了其在便携式电子设备中的适用性。
　　该器件的漏源击穿电压为60V，能够在中等电压环境下稳定工作，适用于多种直流负载控制场景，如继电器驱动、LED开关、电机控制等。同时，其连续漏极电流可达300mA，脉冲电流支持高达1.2A，具备一定的过载能力，提升了系统的鲁棒性。
　　H2N7002采用SOT-23封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，适用于高密度PCB布局。其热阻特性良好，结到环境的热阻约为350℃/W，配合合理的PCB布局可有效散热。此外，器件内部结构经过优化，输入电容、输出电容和反向传输电容均保持在较低水平，有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰，提高高频开关性能。
　　在可靠性方面，H2N7002具备较强的抗静电能力，典型ESD耐压可达2kV以上（HBM模型），减少了在装配和使用过程中因静电放电导致损坏的风险。其工作温度范围宽达-55℃至+150℃，可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等严苛应用场景。

H2N7002广泛应用于各类低功率开关和信号控制电路中。一个典型的应用是作为微控制器输出端的驱动开关，用于控制LED、小型继电器或蜂鸣器等负载。由于其低阈值电压和高输入阻抗，可以直接由MCU的I/O口驱动，无需额外的驱动电路，简化了设计复杂度。
　　在电源管理领域，H2N7002常用于负载开关或电源通断控制，例如在多路电源系统中实现某一路电源的启用或关闭，以达到节能或故障隔离的目的。其快速的开关响应时间（开启约10ns，关断约20ns）使其适合用于高频PWM调光或调速控制，如LCD背光调节或小型直流电机的速度控制。
　　此外，H2N7002也可用于电平转换电路中，作为双向电平移位器的一部分，实现不同电压域之间的信号传递，常见于I2C总线等通信接口中。其低导通电阻和小封装特性使其成为此类应用的理想选择。
　　在便携式设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中，H2N7002用于电池供电路径的管理、传感器使能控制或音频信号切换等场景。其SOT-23封装节省空间，符合小型化趋势。
　　工业控制模块中，H2N7002可用于PLC输入输出模块中的信号隔离与驱动，或作为传感器信号的开关元件。其宽工作温度范围和良好的稳定性确保在复杂电磁环境中仍能可靠工作。

2N7002, FDN302, BSS138, MMF3003, ZVN2110A