类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：110mA（25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：5Ω（最大）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V至3V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-92

H2N7000的主要特性之一是其低导通电阻，这使得器件在导通状态下能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该MOSFET具有较高的开关速度，适用于需要快速响应的应用场景。其栅极阈值电压范围较宽（1V至3V），允许在不同控制电路中灵活使用。H2N7000的封装形式（TO-92）不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，能够满足大多数电路设计的需求。
　　该器件的可靠性也较高，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C至+150°C）。这种特性使其适合在恶劣环境条件下使用，例如工业控制、汽车电子系统等。此外，H2N7000的制造工艺成熟，具有较高的耐用性和一致性，能够在长时间运行中保持稳定的性能。

H2N7000的应用范围非常广泛，尤其是在需要高效率和快速开关的电路中。常见的应用场景包括电源管理电路，例如DC-DC转换器和电池充电器。由于其低导通电阻和快速开关特性，H2N7000能够有效降低能量损耗，提高电源系统的整体效率。
　　在电机控制领域，H2N7000可用于驱动小型直流电机或步进电机，提供稳定的功率输出。此外，它还可用于LED驱动电路、负载开关以及信号路由等应用。在汽车电子系统中，H2N7000能够胜任诸如车灯控制、传感器信号处理等任务。由于其良好的温度特性和可靠性，H2N7000也适用于工业自动化设备、家用电器以及消费类电子产品。

2N7000, 2N7002, BSS138