时间：2025/9/1 12:37:59
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H2JTCG8T21BMR是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于需要高速数据存储的电子设备中。这款存储器芯片采用先进的制造工艺，具备较高的存储密度和稳定性，适用于工业级和消费级电子产品。
容量：8GB
类型：DRAM
封装类型：BGA（球栅阵列封装）
频率：1600MHz
电压：1.5V
数据总线宽度：x8
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：9mm x 13mm
时钟速率：166MHz
H2JTCG8T21BMR具有低功耗设计，适合需要节能的应用场景。其BGA封装形式提供了良好的电气性能和散热能力，适用于高密度PCB布局。
该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有助于数据保持和降低功耗。此外，其1600MHz的频率支持高速数据传输，适合需要快速访问存储的应用场景。
为了确保稳定性和可靠性，H2JTCG8T21BMR采用了先进的纠错机制和温度补偿技术。这些特性使其在复杂的工作环境中依然能够保持优异的性能。
H2JTCG8T21BMR常用于高性能计算设备、服务器、网络设备、嵌入式系统以及工业控制设备中。由于其高可靠性和低功耗特性，这款芯片也适用于便携式电子设备和需要长时间运行的系统。
H2JTCG8T21BMR-HKC
