时间：2025/9/1 19:19:46
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H2DTEG8YD1MYR 是由 Hynix（现为 SK hynix）生产的一款动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该型号属于 DDR3 SDRAM 类别，具备特定的存储容量与频率特性，适用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备等对数据存储与处理性能有一定要求的应用场景。
类型：DRAM
内存类型：DDR3 SDRAM
容量：256MB
数据宽度：16位
频率：800MHz
电压：1.5V
封装类型：TSOP
引脚数量：54
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
刷新周期：64ms
H2DTEG8YD1MYR 是一款 DDR3 类型的 DRAM 存储器，具备较高的数据存取速度和稳定性。该芯片采用 TSOP 封装，适合在空间受限的 PCB 设计中使用。其额定频率为 800MHz，能够在较低电压（1.5V）下运行，有助于降低功耗和提升能效，适用于需要较高性能内存支持的嵌入式设备和工业控制系统。
这款 DRAM 芯片具备标准的 16 位数据总线宽度，可提供 256MB 的存储容量。64ms 的刷新周期确保了数据在断电前能够保持稳定，同时该芯片的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，能够满足工业级应用的严苛环境要求。其 TSOP 封装设计有助于提高封装密度，同时保持较低的封装高度，便于在紧凑的电路板布局中使用。
此外，H2DTEG8YD1MYR 还具备良好的兼容性，能够与多种主控芯片和处理器配合使用，广泛应用于路由器、交换机、工业计算机、智能家电等对内存性能有一定要求的电子设备中。
H2DTEG8YD1MYR 主要应用于需要中等容量高速内存的嵌入式系统和工业设备中。典型应用包括工业控制计算机、通信设备（如路由器和交换机）、智能家电、安防监控系统、医疗电子设备以及汽车电子系统等。该芯片能够在宽温环境下稳定运行，适合用于对可靠性要求较高的工业和车载场景。
H2DTEG8YD1M-X
