类型：双通道光耦合器
　　正向电流（IF）：50 mA
　　集电极-发射极电压（VCE）：5.5 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SSOP（小型缩小型封装）
　　绝缘电压：5000 Vrms
　　响应时间：典型值为 0.1 μs
　　电流传输比（CTR）：典型值为 500% @ IF=5mA, VCE=5V
　　供电电压（VCC）：2.7 V 至 5.5 V

H2DTDG8VD1MYR 光耦合器具有多项高性能特性。首先，其双通道设计可以同时处理两路独立的信号传输，为复杂电路的控制提供便利。其次，其高速响应时间仅为 0.1 微秒，这使得该器件能够适用于高频信号传输场景，例如数字通信或高速开关应用。
　　此外，H2DTDG8VD1MYR 的电流传输比（CTR）高达 500%，意味着其光电转换效率极高，可以在较低的输入电流下实现高效的信号传递。这种高 CTR 特性使得该器件在节能型设计中表现优异。
　　在电气隔离方面，该光耦合器的绝缘电压达到 5000 Vrms，确保了输入和输出电路之间的高绝缘强度，适用于需要严格安全防护的工业设备和电力电子系统。
　　最后，H2DTDG8VD1MYR 采用 SSOP 封装，体积小巧，便于 PCB 板的布局和集成，同时支持表面贴装工艺（SMT），提高了制造效率和可靠性。

H2DTDG8VD1MYR 主要用于需要高速信号隔离和高可靠性的电子系统中。其典型应用包括工业自动化设备中的信号隔离电路，例如 PLC（可编程逻辑控制器）和工业计算机。此外，它还广泛用于电机驱动器、变频器和伺服控制器中，以确保控制信号的稳定传输，同时保护主控电路免受高压或高电流的损害。
　　在电源管理系统中，H2DTDG8VD1MYR 可用于反馈信号的隔离，例如在开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中实现原边与副边的信号通信。由于其高速特性和高 CTR，该光耦合器在数字通信接口中也有应用，如隔离 RS485 或 CAN 总线等通信线路。
　　医疗电子设备、测试仪器以及电动汽车中的电池管理系统（BMS）也常常采用 H2DTDG8VD1MYR，以满足对电气隔离和信号完整性的严格要求。

TLP2361, HCPL-2631, PC817, LTV-847