时间：2025/9/2 5:27:43
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H2DTDG8UD1MYR-BC 是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于需要高性能存储器的电子设备中。该芯片的封装形式为BGA（球栅阵列封装），具有高容量和高速数据传输的特点。
类型：DRAM
容量：1Gbit
组织结构：x8, x16
电压：1.8V - 3.3V
封装：BGA
时钟频率：166MHz
数据速率：166MHz
工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
H2DTDG8UD1MYR-BC 以其高性能和可靠性著称，适用于需要大容量内存和快速数据处理的场景。
该芯片采用了先进的DRAM技术，确保了数据传输的高速性和稳定性。
其BGA封装形式不仅提供了良好的散热性能，还减少了电路板上的空间占用，适合高密度设计。
支持多种数据组织结构（x8和x16），使其在不同的系统架构中都能灵活应用。
宽电压范围（1.8V至3.3V）使得该芯片可以在多种电源条件下稳定工作，增加了其适用性。
工作温度范围为工业级标准（-40°C至+85°C），适合在严苛的环境中使用。
H2DTDG8UD1MYR-BC 通常用于需要高性能存储的设备中，如网络设备、工业控制系统、通信设备和嵌入式系统等。由于其高可靠性和宽温度范围，它也适用于一些恶劣环境下的应用场景。
H57V2562GTR-BC、K4S641632K-UC60、MT48LC16M1A2B4-6A
