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H2DTDG8UD1MYR-BC 发布时间 时间:2025/9/2 5:27:43 查看 阅读:7

H2DTDG8UD1MYR-BC 是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于需要高性能存储器的电子设备中。该芯片的封装形式为BGA(球栅阵列封装),具有高容量和高速数据传输的特点。

参数

类型:DRAM
  容量:1Gbit
  组织结构:x8, x16
  电压:1.8V - 3.3V
  封装:BGA
  时钟频率:166MHz
  数据速率:166MHz
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)

特性

H2DTDG8UD1MYR-BC 以其高性能和可靠性著称,适用于需要大容量内存和快速数据处理的场景。
  该芯片采用了先进的DRAM技术,确保了数据传输的高速性和稳定性。
  其BGA封装形式不仅提供了良好的散热性能,还减少了电路板上的空间占用,适合高密度设计。
  支持多种数据组织结构(x8和x16),使其在不同的系统架构中都能灵活应用。
  宽电压范围(1.8V至3.3V)使得该芯片可以在多种电源条件下稳定工作,增加了其适用性。
  工作温度范围为工业级标准(-40°C至+85°C),适合在严苛的环境中使用。

应用

H2DTDG8UD1MYR-BC 通常用于需要高性能存储的设备中,如网络设备、工业控制系统、通信设备和嵌入式系统等。由于其高可靠性和宽温度范围,它也适用于一些恶劣环境下的应用场景。

替代型号

H57V2562GTR-BC、K4S641632K-UC60、MT48LC16M1A2B4-6A

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