容量：512MB
　　工艺制程：24nm
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：52引脚
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　数据读取速度：最高50MB/s
　　数据写入速度：最高20MB/s
　　编程/擦除周期：10,000次
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H27US518S2CTR-BC 具备多种优良特性，使其适用于多种高要求的应用场景。首先，该芯片采用了24nm先进制程技术，使得存储密度显著提高，同时降低了单位存储成本，适合大规模存储需求。其次，其512MB的容量在嵌入式系统和便携设备中提供了充足的存储空间，可存储大量数据或程序代码。
　　该芯片支持高速读写操作，最大读取速度可达50MB/s，写入速度达20MB/s，能够满足对数据传输速度有较高要求的应用。其TSOP封装形式和52引脚接口设计，确保了稳定的电气连接和良好的散热性能，适用于紧凑型PCB布局。
　　此外，H27US518S2CTR-BC 的工作电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的电压适应能力，可在不同电源条件下稳定运行。其具备10,000次编程/擦除周期，保证了较长的使用寿命和较高的数据可靠性，适用于频繁写入和擦除的应用环境。
　　该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，能够在严苛环境下稳定运行，适用于工业控制、车载系统、安防设备等应用领域。

H27US518S2CTR-BC NAND闪存芯片适用于多种嵌入式系统和存储设备。在工业控制领域，该芯片可用于存储系统固件、配置数据和操作日志，支持工业设备的稳定运行。在车载系统中，H27US518S2CTR-BC 可用于导航系统、车载信息娱乐系统（IVI）和车载记录仪，提供大容量数据存储和快速读写性能。
　　该芯片还可用于固态硬盘（SSD）的缓存或主存储单元，提升存储设备的读写速度和整体性能。在便携式电子设备中，如智能终端、手持检测设备和工业PDA，H27US518S2CTR-BC 提供可靠的非易失性存储方案，支持数据的快速存取和长期保存。
　　此外，该芯片适用于安防监控设备、数据采集器、医疗仪器等需要高可靠性存储的场合。其工业级温度范围和较高的耐用性，使其能够在复杂环境中稳定运行，满足长期运行和频繁数据读写的需求。

H27UC1G8F2CTR-BC, H27UC518V2CTR-BC, H27UCG8T2A, H27UAG8T2A