容量：8GB
　　工艺技术：21nm
　　接口类型：ONFI 2.3
　　工作电压：1.8V / 3.3V
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达20MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约为2ms
　　存储结构：SLC（单层单元）
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：52引脚

H27UG8V5MTR-BC NAND闪存芯片具备多项卓越的特性，首先，其采用SLC（单层单元）技术，相较于MLC（多层单元）和TLC（三层单元）技术，SLC在数据存储的稳定性、耐用性和数据读写寿命方面表现更优。这使得该芯片非常适合用于对数据完整性和存储寿命要求较高的工业和嵌入式应用。
　　其次，该芯片支持ONFI 2.3标准接口协议，确保与主控芯片之间的高速数据传输和兼容性。其读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高可达20MB/s，能够满足大多数嵌入式系统对数据存储的基本需求。
　　此外，H27UG8V5MTR-BC采用低电压设计，支持1.8V和3.3V两种供电方式，具有低功耗特性，适用于便携式设备和对功耗敏感的设备。其TSOP封装形式也便于在各种PCB设计中进行集成，确保了良好的热稳定性和机械稳定性。
　　该芯片还具备较强的抗干扰能力和高可靠性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行（通常为-40°C至+85°C），适用于工业级应用环境。

H27UG8V5MTR-BC NAND闪存芯片广泛应用于多种需要大容量非易失性存储的电子设备和系统中。其主要应用领域包括嵌入式系统、工业控制设备、手持终端、智能卡读写器、医疗设备、车载导航系统以及网络设备等。由于其SLC结构的高可靠性和较长的擦写寿命，该芯片特别适用于需要频繁写入和读取数据的工业级应用，例如工业计算机、数据采集系统和嵌入式多媒体存储系统。
　　此外，该芯片也常用于固态硬盘（SSD）的缓存存储，以及作为嵌入式操作系统和应用程序的存储介质。其低功耗特性和良好的数据保持能力也使其适用于移动设备和物联网（IoT）设备的数据存储需求。

H27UG8V5MTR-BC的替代型号包括：H27UG8T2ATR-BC、H27UCG8T2ATR-BC、H27UCG8T2BTR-BC