容量：4GB
　　电压：1.8V
　　封装：TSOP
　　接口：ONFI 1.0
　　读取速度：25μs
　　写入速度：300μs
　　擦除速度：2ms
　　工作温度：-40°C 至 +85°C

H27UF4G8F2ETR-BC 是一款高性能的NAND闪存芯片，其主要特点包括高存储密度、低功耗和宽工作温度范围。该芯片支持ONFI 1.0接口标准，能够提供较高的数据传输速率，适用于需要快速读写操作的应用场景。
　　芯片采用1.8V低电压供电，显著降低了功耗，非常适合用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑和便携式工业设备。此外，H27UF4G8F2ETR-BC 的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在极端环境下稳定运行，适用于工业控制和汽车电子等应用领域。
　　该芯片还具备较高的耐用性和数据保持能力，支持10万次以上的擦写周期，确保了长期使用的可靠性。H27UF4G8F2ETR-BC 采用TSOP封装，便于PCB布局和焊接，适用于自动化生产流程。同时，其兼容性强，可以与其他主流NAND闪存芯片互换使用，降低了设计和维护成本。

H27UF4G8F2ETR-BC 主要应用于需要高存储容量和低功耗的嵌入式系统和便携式设备。例如，在智能手机、平板电脑、数码相机和MP3播放器中，该芯片可以作为主存储介质，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
　　在工业控制领域，H27UF4G8F2ETR-BC 可用于数据记录仪、自动化控制系统和嵌入式计算机，提供可靠的存储解决方案。此外，该芯片也适用于车载电子设备，如导航系统、行车记录仪和车载娱乐系统，确保在复杂环境中稳定运行。
　　由于其宽温工作范围和高可靠性，H27UF4G8F2ETR-BC 也常用于军事和航空航天设备，如通信设备、飞行控制系统和遥测数据存储器。在物联网（IoT）设备中，该芯片可用于智能传感器、远程监控设备和智能家居控制器，满足低功耗和数据存储需求。

H27UF4G8F2BTR-BC, H27U4G8F2CTR-BC, H27UF088G8MTR-BC