时间：2025/9/1 14:46:26
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H27UDG8WFMTR-BI 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储解决方案，适用于需要大容量数据存储的应用场景。这款芯片通常用于固态硬盘（SSD）、嵌入式系统和消费类电子产品中。
容量：8GB
电压范围：2.3V - 3.6V
接口类型：Parallel NAND
数据总线宽度：8位
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H27UDG8WFMTR-BI 是一款高性能的NAND闪存芯片，具备8GB的存储容量，适合多种应用需求。该芯片采用并行NAND接口，提供了高速的数据读写能力，能够满足对数据传输速度有较高要求的设备需求。其8位数据总线宽度有助于提高数据吞吐量。
该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的电源适应性，可以在多种电源条件下稳定运行。此外，H27UDG8WFMTR-BI 的工作温度范围为-40°C至+85°C，确保了其在各种环境条件下的可靠性和稳定性，适用于工业级和消费级产品。
H27UDG8WFMTR-BI 还具备较高的耐用性和数据保持能力，支持长时间的数据存储而不丢失。它通常用于需要频繁读写操作的应用场景，如固态硬盘、嵌入式系统、数码相机和便携式设备等。
H27UDG8WFMTR-BI 被广泛应用于固态硬盘（SSD）、嵌入式系统、数码相机、便携式设备以及其他需要大容量存储的电子产品中。其高容量和高速性能使其成为存储密集型应用的理想选择。
H27UCG8T2MTR-BC, H27UCG8VFM16A
