存储容量：8GB
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　封装类型：TTR-BGA
　　接口类型：ONFI 2.0
　　最大读取速度：50MB/s
　　最大写入速度：20MB/s
　　擦除时间：1.5ms（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H27UDG8VFATR-BI NAND闪存芯片具备多个显著的技术和性能特性。首先，它采用ONFI 2.0接口标准，支持快速的数据传输速率，确保系统在处理大量数据时具备较高的效率。其次，该芯片的擦除和写入操作时间较短，提高了整体存储系统的响应速度。
　　此外，H27UDG8VFATR-BI具有较强的耐用性和数据保持能力，能够在高温和恶劣环境下稳定运行，适用于工业级和车载电子设备等要求较高的应用场景。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应各种极端环境条件。
　　这款NAND闪存芯片还支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中自动检测并纠正错误，从而提高数据存储的可靠性。同时，该芯片具备低功耗设计，适用于对能耗敏感的便携式设备。
　　在封装方面，H27UDG8VFATR-BI采用TTR-BGA封装，节省空间并提高焊接可靠性，适合高密度PCB设计。其标准的封装尺寸也方便与其他控制器和存储芯片进行兼容和集成。

H27UDG8VFATR-BI NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。在消费电子方面，该芯片可用于智能手机、平板电脑、数码相机等设备，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。在工业控制领域，该芯片可作为嵌入式系统的主存储器，用于工控设备、自动化仪表和智能终端。
　　此外，H27UDG8VFATR-BI也适用于车载电子设备，如车载导航系统、行车记录仪和车载信息娱乐系统。其宽温工作范围和高可靠性使其在车载环境中表现出色。
　　在物联网（IoT）设备中，该芯片可以作为本地存储单元，用于记录传感器数据、日志信息等。同时，该芯片也可用于固态硬盘（SSD）控制器的缓存或主存储介质，提升存储设备的整体性能和稳定性。

H27UCG8VFAACB0R, H27UCG8VFAA0CZ, H27UCG8VFAA0CB