容量：8GB
　　封装类型：TSOP
　　接口类型：ONFI 2.3
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　电源电压：2.7V至3.6V
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达30MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约2ms
　　存储结构：3D NAND Flash
　　工艺制程：128层3D NAND

H27UDG8VEATR-BI采用了先进的3D NAND技术，使得其在存储密度和性能上相较于传统的2D NAND有了显著提升。该芯片具有出色的耐用性和数据保持能力，能够在极端环境下稳定工作，适合工业级应用。
　　这款NAND闪存芯片支持ONFI 2.3接口标准，具备良好的兼容性和灵活性，可以方便地集成到多种系统设计中。其TSOP封装形式有助于提高空间利用率和焊接可靠性，适用于空间受限的嵌入式设备。
　　在数据可靠性方面，H27UDG8VEATR-BI内置错误检测和纠正机制（ECC），能够在读写过程中自动纠正数据错误，确保数据完整性。此外，该芯片还支持坏块管理，能够自动标记并跳过损坏的存储单元，提高系统的稳定性。
　　功耗方面，该芯片在不同工作模式下能够实现低功耗运行，有助于延长移动设备的电池寿命。其宽电压设计也使其能够在不同电源条件下保持稳定运行。

H27UDG8VEATR-BI适用于多种需要大容量非易失性存储的应用场景，包括但不限于：
　　1. 固态硬盘（SSD）：用于构建高容量、高性能的存储设备，适用于PC、服务器及工业计算机。
　　2. 嵌入式系统：广泛应用于工业控制、智能家电、车载系统等嵌入式设备中，作为程序和数据的存储介质。
　　3. 移动设备：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，提供可靠的本地存储解决方案。
　　4. 数据存储模块：用于USB闪存盘、存储卡等便携式存储设备，满足用户对大容量存储的需求。
　　5. 工业自动化与物联网（IoT）设备：适用于需要长期稳定运行的工业设备和物联网终端，提供高效的数据记录和存储能力。

H27UCG8VEMTR-BC, H58RGAGNDAWRUR-N