H27UDG8V5ATR-BI 是一款由SK Hynix(海力士)制造的NAND闪存芯片,广泛应用于需要大容量存储的电子设备中。这款芯片具有高存储密度、高速数据读写能力和较长的使用寿命,适用于智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)以及其他便携式电子产品。
型号:H27UDG8V5ATR-BI
制造商:SK Hynix
存储类型:NAND Flash
容量:8GB
电压:2.7V - 3.6V
封装类型:TSOP
接口:ONFI 2.3
数据读取速度:最高50MB/s
数据写入速度:最高20MB/s
擦除块大小:128KB
编程页大小:4KB
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
H27UDG8V5ATR-BI NAND闪存芯片采用先进的制造工艺,确保了高效的数据存储和可靠性。该芯片支持ONFI 2.3标准接口,提供快速的数据传输速率,读取速度最高可达50MB/s,写入速度最高为20MB/s,适用于高性能存储系统。此外,芯片内置纠错码(ECC)功能,可有效检测并纠正数据错误,提高数据完整性。
该芯片的擦除块大小为128KB,编程页大小为4KB,支持高效的块擦除和页编程操作,降低了存储管理的复杂度。H27UDG8V5ATR-BI 还具备低功耗设计,能够在不同工作模式下自动调整功耗,延长设备的电池续航时间。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种恶劣环境条件下的应用。
为了确保数据的长期可靠性,该芯片采用了磨损均衡(Wear Leveling)技术,使存储块的擦写操作均匀分布,从而延长芯片的使用寿命。此外,它还支持坏块管理功能,自动标记和跳过损坏的存储块,确保数据存储的安全性。
H27UDG8V5ATR-BI NAND闪存芯片广泛应用于多种嵌入式系统和消费电子产品中。它常见于智能手机和平板电脑中,作为主存储器用于存储操作系统、应用程序和用户数据。此外,该芯片也适用于固态硬盘(SSD),作为高速缓存或主存储介质,提升系统的整体性能。
在工业控制领域,H27UDG8V5ATR-BI 可用于数据记录设备、嵌入式控制系统和自动化设备中,提供稳定可靠的大容量存储解决方案。它还可用于数字电视、机顶盒、便携式媒体播放器等多媒体设备中,支持高清视频和音频文件的存储与播放。
由于其宽温度范围和高可靠性,该芯片也适用于汽车电子系统,如车载导航、行车记录仪和车载娱乐系统。在这些应用中,H27UDG8V5ATR-BI 能够承受恶劣的工作环境,确保设备长时间稳定运行。
H27UCG8V5ATR-BC, H27UCG8V5MTR-BC, H27UBG8V5ATR-BI