H27UDG8V5ATR-BC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款NAND闪存芯片,广泛应用于需要大容量非易失性存储的设备中。该芯片采用V-NAND技术,提供高性能和高可靠性,适用于固态硬盘(SSD)、嵌入式存储系统、消费类电子产品以及工业应用。
型号:H27UDG8V5ATR-BC
存储容量:8GB
接口类型:ONFI 2.3
电压:2.7V - 3.6V
封装类型:TSOP
数据传输速率:50MB/s(最大)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
擦写周期:10,000次(典型)
页面大小:4KB
块大小:128KB
H27UDG8V5ATR-BC NAND闪存芯片具有多项显著特性,首先,其8GB的存储容量在嵌入式系统和便携式设备中具有良好的适用性,能够满足中等规模数据存储需求。该芯片采用ONFI 2.3接口标准,确保了与主控芯片之间的高效数据传输,最大传输速率可达50MB/s,适用于多种存储控制器。
其次,H27UDG8V5ATR-BC支持宽电压范围(2.7V至3.6V),增强了其在不同电源条件下的兼容性,使其能够适应各种应用环境。TSOP封装形式不仅提供了良好的机械稳定性和热稳定性,还便于在PCB上安装和焊接。
此外,该芯片具有10,000次擦写周期的耐用性,结合其支持的ECC(错误校正码)功能,可有效提升数据的完整性和可靠性。其页面大小为4KB,块大小为128KB,符合现代NAND闪存的主流设计,便于进行高效的读写和擦除操作。H27UDG8V5ATR-BC还支持低功耗模式,有助于延长便携式设备的电池寿命。
H27UDG8V5ATR-BC主要应用于各类嵌入式系统和消费电子产品中,例如MP3播放器、数码相机、USB闪存盘、智能电视、机顶盒、车载导航系统等。由于其高可靠性和良好的性能表现,也常被用于工业控制设备、数据采集系统、医疗电子设备和小型家用电器中。该芯片的宽温工作范围(-40°C至+85°C)使其特别适用于恶劣环境下的应用,例如户外监控设备或车载系统。此外,在一些需要固件存储和数据缓存的物联网(IoT)设备中,H27UDG8V5ATR-BC也是一个理想的选择。
H27UCG8V5ATR-BC, H27UDG8V5BTR-BC