容量：8GB
　　工艺制程：约40nm
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　接口类型：ONFI 2.3
　　读取速度：约50MB/s
　　写入速度：约15MB/s
　　擦除速度：约2ms
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：52-pin

H27UDG8V2B 的主要特性之一是其采用MLC NAND闪存技术，相比SLC（单层单元）提供了更高的存储密度，同时保持了相对较高的性能和可靠性。该芯片的8GB容量适合中高端嵌入式应用，满足主流设备对存储空间的需求。
　　此外，H27UDG8V2B 支持ONFI 2.3标准接口，确保了与其他系统的兼容性，并简化了设计和集成过程。ONFI接口还支持高速数据传输，提高了整体系统性能。
　　芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V，这使得它可以在不同的电源条件下稳定工作，适应多种应用场景。这种宽电压设计也有助于提高设备的电源管理灵活性。
　　H27UDG8V2B 还内置ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中检测和纠正错误，从而提高数据完整性。对于需要长期稳定运行的设备，这种特性尤为重要。
　　最后，该芯片采用TSOP（薄型小尺寸封装）52引脚封装形式，具有良好的热稳定性和机械强度，适合在紧凑型设备中使用。

H27UDG8V2B 主要应用于需要大容量存储和稳定性能的嵌入式系统和消费电子产品。例如，在智能手机和平板电脑中，它可以作为主存储介质，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。由于其8GB的存储容量，适合用于中高端设备，满足主流用户的需求。
　　此外，该芯片也广泛用于固态硬盘（SSD），尤其是低端或入门级SSD产品。H27UDG8V2B 的MLC技术和ECC功能有助于提高SSD的可靠性，延长其使用寿命。
　　在便携式媒体播放器、数码相机和游戏设备中，H27UDG8V2B 也能提供可靠的存储解决方案。其高速读写能力确保了快速的数据访问，提高了用户体验。
　　由于其宽电压范围和TSOP封装形式，H27UDG8V2B 也非常适合用于工业控制设备和车载系统。在这些环境中，芯片需要承受较大的温度变化和其他恶劣条件，而H27UDG8V2B 的设计能够满足这些要求。

H27UCG8V5B, H27UCG8V5M, H27UBG8V2B