H27UCG8T2BYR-BC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款NAND闪存芯片,属于高密度存储解决方案的一部分。该型号采用先进的制造工艺,提供大容量存储的同时,保持了良好的性能和可靠性。H27UCG8T2BYR-BC 是一款8GB(64Gb)的NAND闪存芯片,适用于需要大容量非易失性存储的应用场景。
容量:8GB (64Gb)
电压:2.7V - 3.6V
接口:并行NAND
数据总线宽度:8位
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
读取时间:最大30ns
写入时间:最大30ns
擦除时间:最大2ms
H27UCG8T2BYR-BC NAND闪存芯片具有多项显著特性。首先,它提供了8GB的大容量存储空间,适用于需要大量数据存储的设备。该芯片支持并行NAND接口,数据总线宽度为8位,能够提供较高的数据传输速率,适用于需要快速读写操作的应用场景。
其次,H27UCG8T2BYR-BC 的工作电压范围为2.7V至3.6V,这使其适用于多种电源管理方案,并且能够在不同的电压条件下保持稳定运行。芯片的读取和写入时间均不超过30ns,具备快速访问能力,从而提高系统的整体响应速度。
H27UCG8T2BYR-BC NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。在消费电子领域,它常用于数字相机、MP3播放器、USB存储设备等需要大容量存储的设备中。在工业控制领域,该芯片可用于嵌入式系统、数据采集设备、工业自动化设备等,满足工业环境下对数据存储的高要求。
此外,H27UCG8T2BYR-BC 也适用于车载电子系统,如车载导航、行车记录仪等,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适应复杂的车载环境。在通信设备中,该芯片可用于路由器、调制解调器、无线基站等设备,作为系统固件和用户数据的存储介质。
H27UCG8T2A