H27UCG8T2BYR-BC 时间：2025/9/2 8:39:35 阅读：21

H27UCG8T2BYR-BC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片，属于高密度存储解决方案的一部分。该型号采用先进的制造工艺，提供大容量存储的同时，保持了良好的性能和可靠性。H27UCG8T2BYR-BC 是一款8GB（64Gb）的NAND闪存芯片，适用于需要大容量非易失性存储的应用场景。

参数

容量：8GB (64Gb)
　　电压：2.7V - 3.6V
　　接口：并行NAND
　　数据总线宽度：8位
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取时间：最大30ns
　　写入时间：最大30ns
　　擦除时间：最大2ms
　　

特性

H27UCG8T2BYR-BC NAND闪存芯片具有多项显著特性。首先，它提供了8GB的大容量存储空间，适用于需要大量数据存储的设备。该芯片支持并行NAND接口，数据总线宽度为8位，能够提供较高的数据传输速率，适用于需要快速读写操作的应用场景。
　　其次，H27UCG8T2BYR-BC 的工作电压范围为2.7V至3.6V，这使其适用于多种电源管理方案，并且能够在不同的电压条件下保持稳定运行。芯片的读取和写入时间均不超过30ns，具备快速访问能力，从而提高系统的整体响应速度。

应用

H27UCG8T2BYR-BC NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。在消费电子领域，它常用于数字相机、MP3播放器、USB存储设备等需要大容量存储的设备中。在工业控制领域，该芯片可用于嵌入式系统、数据采集设备、工业自动化设备等，满足工业环境下对数据存储的高要求。
　　此外，H27UCG8T2BYR-BC 也适用于车载电子系统，如车载导航、行车记录仪等，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适应复杂的车载环境。在通信设备中，该芯片可用于路由器、调制解调器、无线基站等设备，作为系统固件和用户数据的存储介质。