时间：2025/9/2 10:51:25
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H27UBG8U5MTR-BC 是一款由SK Hynix（海力士）公司制造的NAND闪存芯片。这款芯片广泛应用于嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、移动设备和消费类电子产品中，用于提供高容量的非易失性存储解决方案。NAND闪存的特点是具有较高的读写速度和较长的数据保存时间，适合用于需要频繁数据访问和存储的应用场景。
型号: H27UBG8U5MTR-BC
容量: 8GB
封装: TSOP
接口: NAND Flash接口
电压: 1.8V/3.3V
读取速度: 50MB/s
写入速度: 20MB/s
擦除速度: 2ms
工作温度: -40°C ~ 85°C
引脚数: 48-pin
H27UBG8U5MTR-BC NAND闪存芯片具有多项关键特性，使其在各类应用中表现出色。首先，该芯片采用NAND闪存技术，具备较高的存储密度和可靠性。其8GB的存储容量适合用于中高端消费类电子产品和工业设备中。此外，芯片支持1.8V和3.3V双电压操作，具有较强的适应性和低功耗特性，适合用于电池供电设备。该芯片还支持高速数据读写，读取速度可达50MB/s，写入速度为20MB/s，能够满足对数据传输效率有较高要求的应用场景。其擦除时间短，仅为2ms，提高了整体的系统响应速度。H27UBG8U5MTR-BC的48-pin TSOP封装形式有助于节省PCB空间，同时确保了良好的电气性能和机械稳定性。
另外，该芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据存储和传输过程中检测和纠正错误，从而提高数据完整性。H27UBG8U5MTR-BC的工作温度范围为-40°C至85°C，适用于工业级环境条件，确保在各种恶劣环境下依然保持稳定运行。
H27UBG8U5MTR-BC 主要应用于嵌入式系统、便携式电子产品、固态硬盘（SSD）、数码相机、MP3播放器、工业控制设备以及物联网（IoT）设备等。由于其具备高容量、低功耗和高可靠性的特点，该芯片非常适合用于需要长期稳定运行的工业和消费类电子产品。在嵌入式系统中，H27UBG8U5MTR-BC可用于存储固件和用户数据；在固态硬盘中，它可作为主存储介质，提供快速的数据读写性能；在数码产品中，如数码相机和便携式媒体播放器，该芯片可用于存储照片、视频和音频文件。此外，H27UBG8U5MTR-BC也适用于车载电子系统、医疗设备和通信设备等对存储性能和可靠性有较高要求的应用场景。
K9GBG08U5A, H27UCG8T2MTR-BC, TC58NVG2S0HRAIJ
