容量：8GB
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　接口类型：NAND Flash Interface
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取时间：最大50ns
　　写入时间：最大50ns

H27UBG8T2DTR-BI NAND闪存芯片具有多项显著特性，使其在嵌入式系统和存储设备中表现出色。
　　首先，该芯片提供8GB的大容量存储空间，适合需要高密度存储的应用，如智能手机、平板电脑、固态硬盘和多媒体存储卡。其NAND闪存技术确保了数据的非易失性存储，即使在断电情况下也能保持数据完整性。
　　其次，H27UBG8T2DTR-BI 采用低功耗设计，适用于对能耗敏感的便携式设备。其工作电压范围为2.3V至3.6V，能够适应不同的电源供应环境，同时在不同工作模式下优化能耗，延长设备的电池寿命。
　　此外，该芯片的TSOP封装形式使其具有良好的物理稳定性和热稳定性，适用于高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，表明其在极端环境条件下仍能保持稳定运行，适用于工业级应用。
　　H27UBG8T2DTR-BI 支持高速数据访问，读取和写入时间均为最大50ns，满足需要快速数据处理的应用需求。其NAND Flash接口兼容多种控制器，方便系统集成和扩展。
　　最后，该芯片具备较高的耐用性和数据保留能力，支持多次擦写操作，并配备错误校正码（ECC）功能，以确保数据的完整性和可靠性。

H27UBG8T2DTR-BI 芯片广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. **消费电子产品**：如智能手机、平板电脑、数码相机和多媒体播放器，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
　　2. **嵌入式系统**：如车载导航系统、智能电视和工业控制设备，作为非易失性存储介质来存储固件和关键数据。
　　3. **存储卡和U盘**：用于制造SD卡、microSD卡和USB闪存驱动器，提供大容量和高速数据存储解决方案。
　　4. **固态硬盘（SSD）**：作为存储介质用于构建低成本、低功耗的SSD，适用于笔记本电脑和台式机升级。
　　5. **物联网（IoT）设备**：如智能家居设备和可穿戴设备，用于存储传感器数据和配置信息。
　　由于其高性能、低功耗和高可靠性，H27UBG8T2DTR-BI 是多种电子设备的理想存储解决方案。

H27UCG8T2ETR-BC, H27UBG8T2BTR-BC, K9GBG08U0D, H27UAG8T2A