容量：8GB
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　封装类型：TSSOP
　　接口类型：ONFI 2.3
　　最大读取速度：50MB/s
　　最大写入速度：20MB/s
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H27UBG8T2D1R-BC NAND闪存芯片具备多项高性能和可靠性特点。首先，其8GB的存储容量适用于中高端嵌入式设备和工业控制系统。该芯片支持ONFI 2.3接口标准，能够实现快速的数据传输和更高的兼容性，便于系统集成。此外，该芯片的电压范围为2.7V至3.6V，使其在不同电源条件下都能稳定运行，适用于多种电源设计环境。
　　在耐用性方面，H27UBG8T2D1R-BC具备较高的擦写寿命（P/E周期），可支持数万次以上的编程和擦除操作，适合频繁读写的应用场景。其TSSOP封装形式不仅节省空间，还提高了抗干扰能力和散热性能，适用于紧凑型设备设计。同时，该芯片支持坏块管理（Bad Block Management），可在制造和使用过程中自动标记不可靠的存储块，从而提高数据存储的可靠性。
　　另外，该芯片支持多种错误校正机制（ECC），包括BCH码等，有助于提升数据完整性和传输准确性。它还支持低功耗模式，可在设备闲置时降低功耗，延长电池寿命，适用于便携式电子产品。H27UBG8T2D1R-BC的工作温度范围为-40°C至+85°C，可在严苛环境下稳定运行，适用于工业级应用。

H27UBG8T2D1R-BC 主要应用于各种嵌入式系统和消费类电子产品中。它常用于智能手机、平板电脑、数码相机和便携式媒体播放器等设备，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。此外，该芯片也广泛应用于工业控制系统、车载导航系统、安防监控设备以及智能家电等对存储容量和稳定性有较高要求的场景。
　　由于其高容量和可靠性，H27UBG8T2D1R-BC也适用于固态硬盘（SSD）中的存储单元，尤其是在入门级或中端SSD中。在工业自动化设备中，该芯片可用于存储程序代码、运行日志和实时数据，满足工业现场对数据存储稳定性和环境适应性的需求。同时，该芯片还可用于物联网（IoT）设备，作为本地存储单元，支持边缘计算和数据缓存功能。

H27UCG8T2DTR-BC, H27UBG8T2M0R-JC, H27UCG8T2ATR-BC