H27UBG8T2BTR 时间：2025/9/2 11:05:06 阅读：7

H27UBG8T2BTR是一款由SK Hynix（现为Solidigm）制造的NAND闪存芯片，属于3D NAND技术的高性能存储器产品。该芯片采用了TLC（Triple-Level Cell）架构，每个存储单元可以存储3位数据，从而在保持合理成本的同时实现了较高的存储密度。H27UBG8T2BTR广泛应用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储系统和其他需要大容量非易失性存储的设备中。

参数

容量：8GB
　　封装类型：TSOP
　　接口类型：ONFI 3.0
　　工作电压：1.2V/1.8V
　　最大读取速度：约533MB/s
　　最大写入速度：约533MB/s
　　擦除块大小：4096+160 字节
　　编程页大小：4096+160 字节
　　耐久性：约3000次编程/擦除周期

特性

H27UBG8T2BTR NAND闪存芯片具有多项显著的技术特性。首先，它采用了3D NAND技术，将存储单元垂直堆叠在硅基板上，突破了传统2D NAND在密度和性能上的限制，提升了存储容量和可靠性。其次，该芯片支持ONFI 3.0接口标准，确保了高速数据传输能力，并兼容主流控制器设计。此外，该芯片具有较高的擦写寿命，支持约3000次P/E（编程/擦除）周期，适用于中等写入强度的应用场景。H27UBG8T2BTR还支持ECC（错误校正码）机制，通过内置的错误检测与纠正功能，提高了数据的完整性和可靠性。此外，其低功耗设计使其适用于移动设备和嵌入式系统等对能耗敏感的设备。该芯片采用TSOP封装形式，便于集成在各种电路板上，并具备良好的热稳定性和电气兼容性。

应用

H27UBG8T2BTR NAND闪存芯片主要应用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储系统、USB闪存盘、工业控制设备、消费类电子产品（如平板电脑、智能电视）以及网络存储设备等领域。由于其高容量和良好的性能表现，它也常用于需要数据持久性和稳定性的工业和车载应用。此外，该芯片还可用于高端移动设备和物联网（IoT）设备，以满足现代应用对存储容量和速度的不断增长的需求。