时间：2025/9/2 8:54:51
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H27UBG8T2ATR-BI 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储设备，广泛用于需要大容量非易失性存储的设备，例如智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）以及嵌入式系统。这款NAND闪存芯片采用8GB的容量，支持高速数据读写，并提供高可靠性和低功耗特性。
类型：NAND闪存
容量：8GB
封装：TSOP
接口：ONFI 2.3
工作温度：-40°C至85°C
电源电压：2.7V至3.6V
读取速度：最高可达50MB/s
写入速度：最高可达20MB/s
擦除速度：块擦除时间约2ms
H27UBG8T2ATR-BI具有多项突出的特性，首先，它提供了8GB的大容量存储空间，适用于需要大量数据存储的应用场景。该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）封装技术，具有较高的集成度和较小的封装尺寸，适用于空间受限的设备设计。
此外，H27UBG8T2ATR-BI支持ONFI 2.3接口标准，确保与主流控制器的兼容性，并提供较高的数据传输速率。该芯片的读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高可达20MB/s，能够满足大多数嵌入式和便携设备的需求。
低功耗设计是这款芯片的另一大优势，使其非常适合电池供电设备。其工作电压范围为2.7V至3.6V，能够在不同电源条件下稳定运行。同时，H27UBG8T2ATR-BI支持宽温度范围（-40°C至85°C），适合在工业级环境温度下工作。
在可靠性方面，这款NAND闪存芯片具备较强的抗干扰能力和较长的擦写寿命，支持错误校正码（ECC）机制，以提高数据存储的可靠性。
H27UBG8T2ATR-BI广泛应用于各种嵌入式和便携式电子产品中。例如，它可以用于智能手机和平板电脑中，作为操作系统和用户数据的存储介质。在固态硬盘（SSD）中，该芯片可以作为存储单元，提供快速的读写性能和较高的存储密度。
此外，该芯片也适用于工业控制设备、车载系统、智能家电以及物联网（IoT）设备等需要高可靠性、低功耗和紧凑设计的场景。其宽温特性和TSOP封装形式，使其能够在各种复杂的工作环境中稳定运行。
由于其ONFI接口兼容性，H27UBG8T2ATR-BI也可以方便地集成到基于标准NAND控制器的设计中，降低了系统开发的复杂度和成本。
H27UCG8T2ATR-BC、H27UBG8T2BTR-BC、K9F8G08U0A、S34ML08G100BHI000
