时间：2025/9/1 21:08:48
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H27UBG8T2A是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的NAND闪存芯片，属于其高密度非易失性存储器产品线。该芯片主要用于需要大容量数据存储的嵌入式系统和便携式设备，例如智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）、USB闪存盘以及各种类型的存储卡。H27UBG8T2A采用8GB的存储容量，支持高速数据读写操作，并具备低功耗特性，非常适合移动设备和对功耗敏感的应用场景。
存储容量：8GB
工艺技术：2x nm NAND闪存技术
电源电压：2.7V - 3.6V（I/O电压）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
接口类型：ONFI 2.3兼容接口
数据读取速度：最高可达50MB/s
数据写入速度：最高可达20MB/s
ECC要求：需要外部ECC（错误校正码）支持
擦写周期：约3000次（典型值）
数据保持时间：10年（典型值）
H27UBG8T2A NAND闪存芯片具备多项显著特性，首先是其高存储密度，8GB的容量能够满足中高端移动设备和嵌入式系统对存储空间的需求。其次，该芯片采用了先进的2x nm制造工艺，使得芯片在保持高性能的同时，具备较低的功耗，适合电池供电设备使用。
该芯片支持ONFI 2.3标准接口，确保与主控芯片的兼容性和灵活性，适用于多种存储控制器。ONFI标准的采用还简化了设计流程，提高了系统的稳定性和数据传输效率。
H27UBG8T2A的工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于多种电源管理方案，确保在不同应用场景下的稳定运行。其TSOP封装形式具备良好的机械稳定性和热性能，适合在紧凑的PCB布局中使用。
此外，H27UBG8T2A具备较高的耐用性和数据保持能力，典型的擦写周期可达3000次以上，数据保存时间可达10年以上，适用于需要长期存储数据的应用场景。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，支持工业级温度要求，确保在各种环境条件下稳定运行。
H27UBG8T2A NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。首先是在移动通信设备中，如智能手机和平板电脑，作为系统存储或用户数据存储介质，满足设备对大容量存储和快速数据访问的需求。
其次，该芯片可用于嵌入式系统，例如工业控制设备、车载导航系统和智能家电，为系统提供可靠的非易失性存储解决方案。其低功耗特性也使得它非常适合电池供电设备。
此外，H27UBG8T2A还可用于消费类电子产品，如数字相机、MP3播放器、便携式游戏机和电子书阅读器等，提供稳定的数据存储支持。
在固态存储设备中，如USB闪存盘和小型SSD，H27UBG8T2A也能发挥其高容量和高速传输的优势，满足用户对便携式存储的需求。
H27UCG8T2A, H27UBG8T2B, K9GBG08U0A, TC58NVG2S0H
