时间：2025/9/2 5:41:35
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H27UAG8T2M是一款由SK Hynix（海力士）公司制造的NAND闪存芯片。这款芯片属于高密度存储解决方案，广泛应用于需要大容量非易失性存储的设备中，例如固态硬盘（SSD）、嵌入式存储设备和各种便携式电子产品。H27UAG8T2M采用了先进的制造工艺，提供了较高的存储密度和可靠性，是现代高性能存储系统中的关键组件。
容量：8GB
接口类型：ONFI 2.3
电压：2.7V - 3.6V
封装类型：TSOP
工作温度：-40°C 至 +85°C
读取速度：最高50MB/s
写入速度：最高20MB/s
擦除速度：块擦除时间约2ms
存储单元类型：SLC（单层单元）
页面大小：4KB
块大小：256KB
芯片使能（CE）：1个
写保护（WP）：支持
H27UAG8T2M NAND闪存芯片具有多项显著的特性，使其在各种应用中表现出色。首先，它的8GB存储容量为设备提供了充足的空间，可以存储大量的数据。接口支持ONFI 2.3标准，确保了与其他系统的兼容性，并提高了数据传输效率。此外，芯片的电压范围为2.7V至3.6V，使其能够在多种电源条件下稳定工作。
该芯片采用TSOP封装形式，具有较小的体积和良好的散热性能，适合嵌入式系统和空间受限的应用。工作温度范围从-40°C到+85°C，使其能够在各种恶劣的环境条件下正常运行。
在性能方面，H27UAG8T2M的读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高为20MB/s，能够满足大多数存储应用的需求。同时，块擦除时间约为2ms，显著提高了存储系统的响应速度。SLC（单层单元）存储单元设计进一步提升了芯片的耐用性和数据可靠性，适用于对数据完整性要求较高的应用。
该芯片还支持写保护（WP）功能，用户可以通过硬件控制来保护特定的数据区域，防止意外写入或擦除。这种特性在需要保护关键数据的应用中尤为重要。
H27UAG8T2M NAND闪存芯片因其高性能和可靠性，被广泛应用于多个领域。其中包括：
1. **嵌入式系统**：用于工业控制、医疗设备、智能家电等需要可靠存储的嵌入式设备中。
2. **固态硬盘（SSD）**：作为SSD的存储介质，提供快速的数据读写能力。
3. **消费类电子产品**：如数码相机、MP3播放器、电子书阅读器等，提供大容量存储空间。
4. **汽车电子**：用于车载导航系统、行车记录仪等设备，满足汽车环境下的严苛要求。
5. **通信设备**：如路由器、交换机等网络设备，用于存储固件和配置数据。
6. **测试与测量设备**：用于数据记录和存储关键测试结果。
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