制造商：SK Hynix
　　产品类型：NAND Flash
　　存储容量：8GB
　　封装类型：TTR（Tiny Thin Package）
　　接口类型：ONFI 2.3
　　电源电压：1.8V / 3.3V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取速度：最大50MB/s
　　写入速度：最大20MB/s
　　擦除时间：典型值5ms
　　存储单元：MLC（Multi-Level Cell）
　　可靠性：支持ECC（错误校正码）功能
　　封装尺寸：10.5mm x 10.5mm x 1.0mm
　　引脚数量：52

H27UAG8T2BTR-BI NAND闪存芯片具备多项高性能和可靠性特性，适用于多种应用场景。其采用了MLC（Multi-Level Cell）技术，每个存储单元可存储多个数据位，从而提高了存储密度并降低了成本。该芯片支持ONFI 2.3接口标准，确保了与主控器的高效通信。此外，其低功耗设计适用于电池供电设备，提高了设备的续航能力。
　　该芯片的TTR封装技术不仅体积小巧，还提供了良好的热稳定性和机械强度，适合在空间受限的设备中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，使其能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和车载应用。
　　在可靠性方面，H27UAG8T2BTR-BI支持ECC（错误校正码）功能，能够检测并纠正数据错误，确保数据的完整性和稳定性。此外，该芯片的擦除时间和读写速度均优化，以满足高速数据存储和访问的需求。

H27UAG8T2BTR-BI 主要应用于需要高容量和高性能存储的设备中。常见的应用包括固态硬盘（SSD）、嵌入式系统、工业控制设备、车载导航系统、消费类电子产品（如平板电脑、智能手机）以及存储卡等。由于其小巧的封装尺寸和低功耗特性，该芯片特别适合用于空间受限和对功耗敏感的设备。此外，其宽温工作范围也使其适用于工业自动化、车载系统和户外设备等严苛环境下的应用。该芯片还常用于数据记录仪、医疗设备、通信设备和物联网（IoT）设备中，以提供可靠和高效的数据存储解决方案。

H27UAG8T2BTR-BCB、H27UAG8T2CTR-BI、H27UCG8T2BTR-BI