H27UAG8T2ATR-BI 是由SK Hynix(海力士)生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片属于高密度、高性能的存储器件,广泛用于需要大容量数据存储的应用场景中。该型号为BGA封装,容量为8GB,支持高速数据读写操作。
品牌:SK Hynix
型号:H27UAG8T2ATR-BI
类型:NAND Flash
容量:8GB
封装:BGA
电压:2.7V - 3.6V
接口:Parallel NAND
工作温度:-40°C ~ +85°C
H27UAG8T2ATR-BI 是一款高性能的NAND闪存芯片,具备低功耗和高可靠性的特点。该芯片采用先进的制造工艺,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适合工业级应用。
其并行NAND接口设计支持高速数据访问,提高了整体系统性能。此外,该芯片具有良好的数据保持能力,能够在断电情况下保持数据完整性,适用于需要长期数据存储的设备。
封装形式为BGA,体积小巧,便于在空间受限的设备中使用。同时,H27UAG8T2ATR-BI 还具备较强的抗干扰能力,确保在复杂电磁环境中稳定运行。
该芯片广泛应用于工业控制、消费电子、车载系统、通信设备和物联网设备等领域。例如,它可以用于存储固件、操作系统、用户数据等关键信息。由于其高可靠性和宽温特性,特别适合在严苛环境下工作的设备中使用,如工业PC、POS机、智能电表、嵌入式系统等。
H27UCG8T2ATR-BC、H27UCG8T2BTR-BC、H27U1G8T2ATR-BC